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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL620SPBF
  仓库库存编号：IRL620SPBF-ND
  别名：*IRL620SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N65X2
  仓库库存编号：IXTA4N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017076
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017062
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20FDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20FDPBF-ND
  别名：*IRG4BC20FDPBF
  SP001547694
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI630GPBF
  仓库库存编号：IRFI630GPBF-ND
  别名：*IRFI630GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20KDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20KDPBF-ND
  别名：*IRG4BC20KDPBF
  SP001544718
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC37325D
  仓库库存编号：296-15697-5-ND
  别名：296-15697-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 20A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2010-E3/45
  仓库库存编号：BU2010-E3/45GI-ND
  别名：BU2010-E3/45-ND
  BU2010-E3/45GI
  BU2010E345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R310CFD
  仓库库存编号：IPP65R310CFD-ND
  别名：IPP65R310CFDXKSA1
  SP000745028
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20UDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20UDPBF-ND
  别名：*IRG4BC20UDPBF
  SP001549346
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF9N80K5
  仓库库存编号：497-16493-5-ND
  别名：497-16493-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI634GPBF
  仓库库存编号：IRFI634GPBF-ND
  别名：*IRFI634GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30FPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30FPBF-ND
  别名：*IRG4BC30FPBF
  SP001541932
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY8N65X2
  仓库库存编号：IXTY8N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N90K5
  仓库库存编号：497-17074-ND
  别名：497-17074
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH18N60M2
  仓库库存编号：497-16595-5-ND
  别名：497-16595-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-E3-ND
  别名：SIHF7N60EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017064
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2M
  仓库库存编号：IXTP8N65X2M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R250CP
  仓库库存编号：IPA50R250CP-ND
  别名：IPA50R250CPXKSA1
  SP000236080
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 20A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2060-E3/45
  仓库库存编号：GSIB2060-E3/45-ND
  别名：GSIB2060E345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 800V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2580
  仓库库存编号：DFB2580-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-220FP
  
  型号：STF6N90K5
  仓库库存编号：497-17073-ND
  别名：497-17073
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA05N100
  仓库库存编号：IXTA05N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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