规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP4N90K5
仓库库存编号：
497-17070-ND
别名：497-17070
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11N60DM2
仓库库存编号：
497-16960-ND
别名：497-16960
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1210-E3/45
仓库库存编号：
BU1210-E3/45GI-ND
别名：BU1210-E3/45-ND
BU1210-E3/45GI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP11N60DM2
仓库库存编号：
497-16932-ND
别名：497-16932
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R380P6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R380P6XKSA1-ND
别名：SP001017072
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名：SP001017058
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 10A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU10D
仓库库存编号：
1242-1223-ND
别名：1242-1223
GBU10DGN
GBU10DGN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 6A 800V GPP INLINE GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6K-E3/51
仓库库存编号：
GBU6K-E3/51GI-ND
别名：GBU6K-E3/51-ND
GBU6K-E3/51GI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 200V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6D-E3/45
仓库库存编号：
GBU6D-E3/45GI-ND
别名：GBU6D
GBU6D-E3/45-ND
GBU6D-E3/45GI
GBU6D-ND
GBU6D/45
GBU6D/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.8A Through Hole GBU
型号：
GBU6J-E3/45
仓库库存编号：
GBU6J-E3/45GI-ND
别名：GBU6J
GBU6J-E3/45-ND
GBU6J-E3/45GI
GBU6J-ND
GBU6J/45
GBU6J/45-ND
GBU6JE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHF8N50D-E3-ND
别名：SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP7LN80K5
仓库库存编号：
497-16497-5-ND
别名：497-16497-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R280CE
仓库库存编号：
IPW50R280CEIN-ND
别名：IPW50R280CEFKSA1
IPW50R280CEIN
SP000850804
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1208-E3/51
仓库库存编号：
BU1208-E3/51GI-ND
别名：BU1208-E3/51-ND
BU1208-E3/51GI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1206-E3/45
仓库库存编号：
BU1206-E3/45GI-ND
别名：BU1206-E3/45-ND
BU1206-E3/45GI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1208-E3/45
仓库库存编号：
BU1208-E3/45GIGI-ND
别名：BU1208-E3/45-ND
BU1208-E3/45GI
BU1208-E3/45GI-ND
BU1208-E3/45GIGI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP06N80C3
仓库库存编号：
SPP06N80C3IN-ND
别名：SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-220
型号：
AOT8N80L
仓库库存编号：
785-1434-5-ND
别名：785-1434-5
AOT8N80
AOT8N80-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP12N60M2
仓库库存编号：
497-16020-5-ND
别名：497-16020-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 9.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z20PBF
仓库库存编号：
IRF9Z20PBF-ND
别名：*IRF9Z20PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 25A 100V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A Through Hole GBJ
型号：
GBJ2501-BP
仓库库存编号：
GBJ2501-BPMS-ND
别名：GBJ2501-BPMS
GBJ2501BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号：
SIHP8N50D-E3-ND
别名：SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
SIHP8N50DE3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF614SPBF
仓库库存编号：
IRF614SPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF4N90K5
仓库库存编号：
497-17071-ND
别名：497-17071
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 10A TO220
详细描述：IGBT 650V 20A 30W Through Hole TO-220
型号：
AOTF10B65M2
仓库库存编号：
785-1767-ND
别名：785-1767
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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