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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP5N50D-E3-ND
  别名：SIHP5N50D-E3CT
  SIHP5N50D-E3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG9N65CT
  仓库库存编号：DMG9N65CTDI-ND
  别名：DMG9N65CTDI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 6A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6M
  仓库库存编号：1242-1282-ND
  别名：1242-1282
  KBU6MGN
  KBU6MGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC R-6
  
  型号：A5KP36A-G
  仓库库存编号：641-1541-1-ND
  别名：641-1541-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006A-E3/45
  仓库库存编号：BU1006A-E3/45GI-ND
  别名：BU1006A-E3/45-ND
  BU1006A-E3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4M-E3/51
  仓库库存编号：GBU4M-E3/51-ND
  别名：GBU4ME351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP04N80C3
  仓库库存编号：SPP04N80C3IN-ND
  别名：SP000013706
  SP000683152
  SPP04N80C3IN
  SPP04N80C3X
  SPP04N80C3XK
  SPP04N80C3XKSA1
  SPP04N80C3XTIN
  SPP04N80C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRLS3813TRLPBF
  仓库库存编号：IRLS3813TRLPBFCT-ND
  别名：IRLS3813TRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B
  仓库库存编号：1242-1275-ND
  别名：1242-1275
  GBU6BGN
  GBU6BGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J
  仓库库存编号：1242-1276-ND
  别名：1242-1276
  GBU6JGN
  GBU6JGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G
  仓库库存编号：GBU8GFS-ND
  别名：GBU8GFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 600V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8J-E3/51
  仓库库存编号：GBU8J-E3/51GI-ND
  别名：GBU8J-E3/51-ND
  GBU8J-E3/51GI
  GBU8JE351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40C
  仓库库存编号：FQPF11N40CFS-ND
  别名：FQPF11N40C-ND
  FQPF11N40CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 10A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 10A 25W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF7NC60HD
  仓库库存编号：497-4354-5-ND
  别名：497-4354-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 73W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N40CF
  仓库库存编号：FQP6N40CF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 3A SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4423N
  仓库库存编号：CLA396-ND
  别名：CLA396
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8B
  仓库库存编号：1242-1277-ND
  别名：1242-1277
  GBU8BGN
  GBU8BGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G
  仓库库存编号：1242-1279-ND
  别名：1242-1279
  GBU8GGN
  GBU8GGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D
  仓库库存编号：1242-1278-ND
  别名：1242-1278
  GBU8DGN
  GBU8DGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R600E6
  仓库库存编号：IPA65R600E6-ND
  别名：IPA65R600E6XKSA1
  SP000799140
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP14N30
  仓库库存编号：FQP14N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP90R1K2C3
  仓库库存编号：IPP90R1K2C3-ND
  别名：IPP90R1K2C3XKSA1
  SP000411302
  SP000683096
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 600V 7.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH10N60M2
  仓库库存编号：497-16593-5-ND
  别名：497-16593-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65E-GE3-ND
  别名：SIHD6N65E-GE3CT
  SIHD6N65E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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