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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 6A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU6A-BP
仓库库存编号：
GBU6A-BPMS-ND
别名：GBU6A-BPMS
GBU6ABP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMN2A02N8TA
仓库库存编号：
ZXMN2A02N8CT-ND
别名：ZXMN2A02N8CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.8W（Ta），108W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17575Q3T
仓库库存编号：
296-37961-1-ND
别名：296-37961-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R1K4C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R1K4C6XKSA1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8B-BP
仓库库存编号：
GBU8B-BPMS-ND
别名：GBU8B-BPMS
GBU8BBP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 8A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8A-BP
仓库库存编号：
GBU8A-BPMS-ND
别名：GBU8A-BPMS
GBU8ABP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF05N50ZG
仓库库存编号：
NDF05N50ZGOS-ND
别名：NDF05N50ZG-ND
NDF05N50ZGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU01N60C3
仓库库存编号：
SPU01N60C3IN-ND
别名：SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3BKMA1
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU02N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU02N60C3BKMA1-ND
别名：Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP02N80C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP02N80C3XKSA1-ND
别名：SP000683150
SPP02N80C3
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3IN-ND
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 192W（Tc） TO-220
型号：
AOT9N50
仓库库存编号：
785-1172-5-ND
别名：785-1172-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50R380CE
仓库库存编号：
IPP50R380CE-ND
别名：IPP50R380CEXKSA1
SP000850818
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） TO-220
型号：
STP3LN80K5
仓库库存编号：
497-17293-ND
别名：497-17293
STP3LN80K5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA02N80C3
仓库库存编号：
SPA02N80C3IN-ND
别名：SP000216295
SPA02N80C3IN
SPA02N80C3XK
SPA02N80C3XKSA1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 65W TO220
详细描述：IGBT 600V 15A 65W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP8NC60KD
仓库库存编号：
497-7481-5-ND
别名：497-7481-5
STGP8NC60KD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Through Hole GBJ
型号：
GBJ10005-BP
仓库库存编号：
GBJ10005-BPMS-ND
别名：GBJ10005-BPMS
GBJ10005BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole KBL
型号：
KBL408-G
仓库库存编号：
641-1684-ND
别名：641-1684
KBL408-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP9N30
仓库库存编号：
FQP9N30-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 92W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R280CEXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R280CEXKSA1-ND
别名：IPP50R280CE
IPP50R280CEIN
IPP50R280CEIN-ND
SP000850810
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4B
仓库库存编号：
1242-1273-ND
别名：1242-1273
GBU4BGN
GBU4BGN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4A
仓库库存编号：
1242-1224-ND
别名：1242-1224
GBU4AGN
GBU4AGN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 4A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4G
仓库库存编号：
1242-1274-ND
别名：1242-1274
GBU4GGN
GBU4GGN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 4A GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole GBL
型号：
GBL005
仓库库存编号：
1242-1220-ND
别名：1242-1220
GBL005GN
GBL005GN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 30V 8A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 8A 25MHz 60W Through Hole TO-220-3
型号：
D45H2A
仓库库存编号：
D45H2A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP2540N3-G
仓库库存编号：
TP2540N3-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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