规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
详细描述:IGBT 3000V 26A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXBF12N300
仓库库存编号:
IXBF12N300-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 46A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN46N50L
仓库库存编号:
IXTN46N50L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB62N50L
仓库库存编号:
IXTB62N50L-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60Q3
仓库库存编号:
IXFN82N60Q3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 60A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN60N60
仓库库存编号:
IXFN60N60-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号:
MPLAD30KP43CAE3
仓库库存编号:
1086-7455-ND
别名:1086-7455
1086-7455-MIL
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JFLL
仓库库存编号:
APT60M75JFLL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 60W(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M80J
仓库库存编号:
APT58M80J-ND
别名:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 200A 1040W TO264
详细描述:IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole TO-264
型号:
IXBK75N170
仓库库存编号:
IXBK75N170-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GN120JDQ4
仓库库存编号:
APT150GN120JDQ4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
详细描述:IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXBF50N360
仓库库存编号:
IXBF50N360-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 170VWM 260VC AXIAL
型号:
AK10-170C
仓库库存编号:
F5936-ND
别名:AK10-170C-ND
AK10170C
F5936
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 57A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT53F80J
仓库库存编号:
APT53F80J-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
详细描述:IGBT 3000V 40A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXBF32N300
仓库库存编号:
IXBF32N300-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 88A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M38JLL
仓库库存编号:
APT50M38JLL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M60JFLL
仓库库存编号:
APT60M60JFLL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JLL
仓库库存编号:
APT10021JLL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Apex Microtechnology
IC MOTOR DRIVER PAR 12DIP
详细描述:Half Bridge (2) Driver DC Motors, Piezo Devices Power MOSFET 12-PowerDip
型号:
SA03
仓库库存编号:
598-1452-ND
别名:598-1452
598-1989
598-1989-ND
SA03-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 500mW(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD25202W15T
仓库库存编号:
296-37964-1-ND
别名:296-37964-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 3W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17577Q5AT
仓库库存编号:
296-38337-1-ND
别名:296-38337-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD676AG
仓库库存编号:
BD676AGOS-ND
别名:BD676AG-ND
BD676AGOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 1.5A TO-252AA
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
型号:
BD138G
仓库库存编号:
BD138GOS-ND
别名:BD138G-ND
BD138GOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD676G
仓库库存编号:
BD676GOS-ND
别名:BD676G-ND
BD676GOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 1A DB
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB
型号:
DB103G
仓库库存编号:
1242-1210-ND
别名:1242-1210
DB103GGN
DB103GGN-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 10-Picostar (3.37x1.47)
型号:
CSD87501LT
仓库库存编号:
296-38677-1-ND
别名:296-38677-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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