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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N60P
仓库库存编号：
IXFN64N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
详细描述：IGBT 1600V 33A 350W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH40N160
仓库库存编号：
IXBH40N160-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT100GT60JR
仓库库存编号：
APT100GT60JR-ND
别名：APT100GT60JRMI
APT100GT60JRMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N50Q3
仓库库存编号：
IXFR80N50Q3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT94N60L2C3G
仓库库存编号：
APT94N60L2C3G-ND
别名：APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK110N20L2
仓库库存编号：
IXTK110N20L2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
型号：
APT100GN120B2G
仓库库存编号：
APT100GN120B2G-ND
别名：APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 58VWM 110VC AXIAL
型号：
AK10-058C
仓库库存编号：
F6247-ND
别名：AK10-058C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 76VWM 140VC AXIAL
型号：
AK10-076C
仓库库存编号：
AK10-076C-ND
别名：AK10076C
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 200A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 595W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN120N60A3D1
仓库库存编号：
IXGN120N60A3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 42A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT39F60J
仓库库存编号：
APT39F60J-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N60
仓库库存编号：
IXFN36N60-ND
别名：460869
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT75GN120JDQ3
仓库库存编号：
APT75GN120JDQ3-ND
别名：APT75GN120JDQ3MI
APT75GN120JDQ3MI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN55N50
仓库库存编号：
IXFN55N50-ND
别名：470724
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Analog Devices Inc.
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号：
MAT01AH
仓库库存编号：
MAT01AH-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 900V 115A 500W C3 SOT-227
详细描述：IGBT Module Single 900V 115A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN80N90C3H1
仓库库存编号：
IXYN80N90C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 50A 250W TO247
详细描述：IGBT 3000V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH20N300
仓库库存编号：
IXBH20N300-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT70GR120JD60
仓库库存编号：
APT70GR120JD60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 50A 250W TO268
详细描述：IGBT 3000V 50A 250W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT20N300HV
仓库库存编号：
IXBT20N300HV-ND
别名：Q7867913
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8020JLL
仓库库存编号：
APT8020JLL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT150GN120J
仓库库存编号：
APT150GN120J-ND
别名：APT150GN120JMI
APT150GN120JMI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT85GR120JD60
仓库库存编号：
APT85GR120JD60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 300VWM 483VC PLAD
型号：
MPLAD30KP300A
仓库库存编号：
1086-7424-ND
别名：1086-7424
1086-7424-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M65JLL
仓库库存编号：
APT50M65JLL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 1200V 134A 690W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN100N120C3H1
仓库库存编号：
IXYN100N120C3H1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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