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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT42N50P2
仓库库存编号:
IXFT42N50P2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH32N120A3
仓库库存编号:
IXGH32N120A3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH15N50L2
仓库库存编号:
IXTH15N50L2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR ISO PWM CM/VM 20DIP
详细描述:Converter Offline Full-Bridge Topology 1MHz 20-PDIP
型号:
UCC2895N
仓库库存编号:
296-11418-5-ND
别名:296-11418-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N50P2
仓库库存编号:
IXFH52N50P2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GN120SG
仓库库存编号:
APT25GN120SG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH21N50
仓库库存编号:
IXFH21N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N80P
仓库库存编号:
IXFH24N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH21N50
仓库库存编号:
IXTH21N50-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRDQ2G
仓库库存编号:
APT25GT120BRDQ2G-ND
别名:APT25GT120BRDQ2GMI
APT25GT120BRDQ2GMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N50P2
仓库库存编号:
IXFT52N50P2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N30P
仓库库存编号:
IXTQ88N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GN120BG
仓库库存编号:
APT35GN120BG-ND
别名:APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N90P
仓库库存编号:
IXFH18N90P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH88N30P
仓库库存编号:
IXTH88N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
IC HIGH CURRENT FET DRIVER 8-DIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-PDIP
型号:
UC2710N
仓库库存编号:
296-2399-5-ND
别名:296-2399-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH42UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH42UD-EP-ND
别名:IRG7PH42UDEP
SP001533730
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
详细描述:IGBT 1200V 36A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH20N120C3D1
仓库库存编号:
IXYH20N120C3D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1204R7BFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7BFLLG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N60P3
仓库库存编号:
IXFX64N60P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR16P60P
仓库库存编号:
IXTR16P60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR48P20P
仓库库存编号:
IXTR48P20P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N60P3
仓库库存编号:
IXFK64N60P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH42UDPBF
仓库库存编号:
IRG7PH42UDPBF-ND
别名:SP001537274
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N30
仓库库存编号:
IXTH40N30-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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