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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI840GPBF
  仓库库存编号：IRFI840GPBF-ND
  别名：*IRFI840GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27323D
  仓库库存编号：296-12528-5-ND
  别名：296-12528-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N80C3
  仓库库存编号：SPA08N80C3IN-ND
  别名：SP000216310
  SPA08N80C3IN
  SPA08N80C3X
  SPA08N80C3XK
  SPA08N80C3XKSA1
  SPA08N80C3XTIN
  SPA08N80C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-MSOP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
  
  型号：UCC37324DGN
  仓库库存编号：296-15695-5-ND
  别名：296-15695-5
  UCC37324DGNG4
  UCC37324DGNG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 800V 20A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 20A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2080
  仓库库存编号：DFB2080-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 20A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2010-E3/51
  仓库库存编号：BU2010-E3/51GI-ND
  别名：BU2010-E3/51-ND
  BU2010-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASPBF
  仓库库存编号：IRF730ASPBF-ND
  别名：*IRF730ASPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N04-3M3P-GE3
  仓库库存编号：SUP90N04-3M3P-GE3-ND
  别名：SUP90N04-3M3P-GE3CT
  SUP90N04-3M3P-GE3CT-ND
  SUP90N043M3PGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 30A 186W TO3P
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA15N120ANTDTU_F109
  仓库库存编号：FGA15N120ANTDTU_F109-ND
  别名：FGA15N120ANTDTUF109
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15885-5-ND
  别名：497-15885-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R6N50D2
  仓库库存编号：IXTP1R6N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 27.8W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF15S60L
  仓库库存编号：785-1518-5-ND
  别名：AOTF15S60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBF20LPBF
  仓库库存编号：IRFBF20LPBF-ND
  别名：*IRFBF20LPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R280E6
  仓库库存编号：IPA65R280E6-ND
  别名：IPA65R280E6XKSA1
  SP000795276
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4019H-117P
  仓库库存编号：IRFI4019H-117P-ND
  别名：IRFI4019H117P
  SP001560458
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190P6
  仓库库存编号：IPA60R190P6-ND
  别名：IPA60R190P6XKSA1
  SP001017080
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 23A 100W TO220-3
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220-3
  
  型号：SGP23N60UFTU
  仓库库存编号：SGP23N60UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N80C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N80C3XKSA1-ND
  别名：SP000683158
  SPP11N80C3
  SPP11N80C3IN
  SPP11N80C3IN-ND
  SPP11N80C3X
  SPP11N80C3XK
  SPP11N80C3XTIN
  SPP11N80C3XTIN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7NK80Z
  仓库库存编号：497-15684-5-ND
  别名：497-15684-5
  STP7NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA8N65X2
  仓库库存编号：IXTA8N65X2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF32N20C
  仓库库存编号：FQPF32N20C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF15S65L
  仓库库存编号：785-1519-5-ND
  别名：AOTF15S65L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 165W TO220
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-220-3
  
  型号：FGP20N60UFDTU
  仓库库存编号：FGP20N60UFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 400V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 12A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1204W
  仓库库存编号：GBPC1204WFS-ND
  别名：GBPC1204W-ND
  GBPC1204WFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 12A 400V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 12A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1204
  仓库库存编号：GBPC1204FS-ND
  别名：GBPC1204FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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