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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI1010NPBF
  仓库库存编号：IRFI1010NPBF-ND
  别名：*IRFI1010NPBF
  SP001570872
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF27N25
  仓库库存编号：FQPF27N25FS-ND
  别名：FQPF27N25-ND
  FQPF27N25FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI830GPBF
  仓库库存编号：IRFI830GPBF-ND
  别名：*IRFI830GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 1.5A D-38
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.2A Through Hole D-38
  
  型号：VS-1KAB40E
  仓库库存编号：VS-1KAB40EGI-ND
  别名：1KAB40E
  1KAB40E-ND
  VS-1KAB40E-ND
  VS-1KAB40EGI
  VS1KAB40E
  VS1KAB40E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 13A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20UPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20UPBF-ND
  别名：*IRG4BC20UPBF
  SP001537048
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2210N3-G
  仓库库存编号：VN2210N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40APBF
  仓库库存编号：IRFBC40APBF-ND
  别名：*IRFBC40APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 10.5A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9P25
  仓库库存编号：FQA9P25FS-ND
  别名：FQA9P25-ND
  FQA9P25FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N50CF
  仓库库存编号：FQPF11N50CF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 20A 139W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
  
  型号：FGP10N60UNDF
  仓库库存编号：FGP10N60UNDF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF16N50
  仓库库存编号：FDPF16N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N50D2
  仓库库存编号：IXTA08N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 24A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP24P085T
  仓库库存编号：IXTP24P085T-ND
  别名：620619
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N100D2
  仓库库存编号：IXTA08N100D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4212H-117P
  仓库库存编号：IRFI4212H-117P-ND
  别名：IRFI4212H117P
  SP001560448
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 127W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R190CE
  仓库库存编号：IPW50R190CE-ND
  别名：IPW50R190CEFKSA1
  SP000850798
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 68W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N90CT
  仓库库存编号：FQPF9N90CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP34N20
  仓库库存编号：FQP34N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC37324P
  仓库库存编号：296-15696-5-ND
  别名：296-15696-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27424P
  仓库库存编号：296-15869-5-ND
  别名：296-15869-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27324P
  仓库库存编号：296-12533-5-ND
  别名：296-12533-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDN602SI
  仓库库存编号：CLA352-ND
  别名：CLA352
  IXDN602SI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2010-F
  仓库库存编号：GBJ2010-FDI-ND
  别名：GBJ2010-FDI
  GBJ2010F
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 85V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA24P085T
  仓库库存编号：IXTA24P085T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11S65L
  仓库库存编号：785-1517-5-ND
  别名：AOTF11S65L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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