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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 6A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6B
  仓库库存编号：1242-1281-ND
  别名：1242-1281
  KBU6BGN
  KBU6BGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 200V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU802
  仓库库存编号：GBU802DI-ND
  别名：GBU802DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDI602SIA
  仓库库存编号：CLA354-ND
  别名：CLA354
  IXDI602SIA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 6A 50V PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB605-BP
  仓库库存编号：PB605-BPMS-ND
  别名：PB605-BPMS
  PB605BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP16N25
  仓库库存编号：FQP16N25FS-ND
  别名：FQP16N25-ND
  FQP16N25FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 90V 10A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 90V 10A 2MHz 2W Through Hole TO-220FP
  
  型号：MJF2955G
  仓库库存编号：MJF2955GOS-ND
  别名：MJF2955G-ND
  MJF2955GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 1.5A D-38
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.2A Through Hole D-38
  
  型号：VS-1KAB100E
  仓库库存编号：VS-1KAB100EGI-ND
  别名：1KAB100E
  1KAB100E-ND
  VS-1KAB100E-ND
  VS-1KAB100EGI
  VS1KAB100E
  VS1KAB100E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010A-E3/51
  仓库库存编号：BU1010A-E3/51GI-ND
  别名：BU1010A-E3/51-ND
  BU1010A-E3/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU610
  仓库库存编号：GBU610DI-ND
  别名：GBU610DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 6A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU608
  仓库库存编号：GBU608-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 600V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4J-E3/51
  仓库库存编号：GBU4J-E3/51-ND
  别名：GBU4JE351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 400V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4G-E3/51
  仓库库存编号：GBU4G-E3/51GI-ND
  别名：GBU4G-E3/51-ND
  GBU4GE351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2635N3-G
  仓库库存编号：TP2635N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN4012L-G
  仓库库存编号：VN4012L-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
  
  型号：NGTB15N60S1EG
  仓库库存编号：NGTB15N60S1EGOS-ND
  别名：NGTB15N60S1EG-ND
  NGTB15N60S1EGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8A
  仓库库存编号：1242-1229-ND
  别名：1242-1229
  KBU8AGN
  KBU8AGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19.4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N20
  仓库库存编号：FQP19N20FS-ND
  别名：FQP19N20-ND
  FQP19N20FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80C
  仓库库存编号：FQPF6N80C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18503KCS
  仓库库存编号：296-34974-5-ND
  别名：296-34974-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP4N60
  仓库库存编号：FCP4N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT14N50
  仓库库存编号：785-1170-5-ND
  别名：785-1170-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 2.0A D-38
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.2A Through Hole D-38
  
  型号：VS-1KAB20E
  仓库库存编号：VS-1KAB20EGI-ND
  别名：1KAB20E
  1KAB20E-ND
  VS-1KAB20E-ND
  VS1KAB20E
  VS1KAB20E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 8A 200V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.9A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D-E3/51
  仓库库存编号：GBU8D-E3/51GI-ND
  别名：GBU8D-E3/51-ND
  GBU8DE351
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LCPBF
  仓库库存编号：IRF840LCPBF-ND
  别名：*IRF840LCPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20SPBF
  仓库库存编号：IRFBF20SPBF-ND
  别名：*IRFBF20SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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