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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 1000V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC110-E4/51
  仓库库存编号：GBPC110-E4/51GI-ND
  别名：GBPC110-E4/51-ND
  GBPC110E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 3A 400V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC104-E4/51
  仓库库存编号：GBPC104-E4/51GI-ND
  别名：GBPC104
  GBPC104-E4/51-ND
  GBPC104-E4/51GI
  GBPC104-ND
  GBPC104/1
  GBPC104/1-ND
  GBPC104E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 3A 200V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC102-E4/51
  仓库库存编号：GBPC102-E4/51GI-ND
  别名：GBPC102
  GBPC102-E4/51-ND
  GBPC102-E4/51GI
  GBPC102-ND
  GBPC102/1
  GBPC102/1-ND
  GBPC102E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N20C
  仓库库存编号：FQPF19N20C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 600V GBPC1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole GBPC1
  
  型号：GBPC106-E4/51
  仓库库存编号：GBPC106-E4/51GI-ND
  别名：GBPC106-E4/51-ND
  GBPC106-E4/51GI
  GBPC106E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9220PBF
  仓库库存编号：IRFD9220PBF-ND
  别名：*IRFD9220PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 4A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4K
  仓库库存编号：GBU4KFS-ND
  别名：GBU4KFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZ
  仓库库存编号：FDPF8N50NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE20PBF
  仓库库存编号：IRFBE20PBF-ND
  别名：*IRFBE20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N60P
  仓库库存编号：IXTY1R4N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2535N5-G
  仓库库存编号：DN2535N5-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1010-G
  仓库库存编号：641-1368-5-ND
  别名：641-1368-5
  GBU1010G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBJL
  
  型号：GBJL3510-BP
  仓库库存编号：GBJL3510-BPMS-ND
  别名：GBJL3510
  GBJL3510-BPMS
  GBJL3510MS
  GBJL3510MS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 10A 400V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1004-BP
  仓库库存编号：GBJ1004-BPMS-ND
  别名：GBJ1004-BPMS
  GBJ1004BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole GBJL
  
  型号：GBJL2010
  仓库库存编号：GBJL2010MS-ND
  别名：GBJL2010MS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 10A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1001-BP
  仓库库存编号：GBJ1001-BPMS-ND
  别名：GBJ1001-BPMS
  GBJ1001BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF10N60ZH
  仓库库存编号：NDF10N60ZHOS-ND
  别名：NDF10N60ZH-ND
  NDF10N60ZHOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 50V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8A
  仓库库存编号：GBU8AFS-ND
  别名：GBU8A-ND
  GBU8AFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0620N3-G
  仓库库存编号：TP0620N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10N60
  仓库库存编号：785-1191-5-ND
  别名：785-1191-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D
  仓库库存编号：GBU8D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30PBF
  仓库库存编号：IRFBC30PBF-ND
  别名：*IRFBC30PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0550N3-G
  仓库库存编号：VN0550N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF5N50CYDTU
  仓库库存编号：FQPF5N50CYDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 6A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6D
  仓库库存编号：1242-1260-ND
  别名：1242-1260
  KBU6DGN
  KBU6DGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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