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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN70N60Q2
  仓库库存编号：IXFN70N60Q2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N20
  仓库库存编号：IXFN180N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN90N85X
  仓库库存编号：IXFN90N85X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50
  仓库库存编号：IXFN80N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 380W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL38N100Q2
  仓库库存编号：IXFL38N100Q2-ND
  别名：614235
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD
  
  型号：MPLAD30KP350CAE3
  仓库库存编号：1086-7439-ND
  别名：1086-7439
  1086-7439-MIL
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80
  仓库库存编号：IXFN44N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：BC807-25-TP
  仓库库存编号：BC807-25-TPMSCT-ND
  别名：BC807-25-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 12V 3A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 3A 150MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：FCX688BTA
  仓库库存编号：FCX688BCT-ND
  别名：FCX688BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE RECT 1A 600V DBS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DBS
  
  型号：DB105S-G
  仓库库存编号：641-1673-5-ND
  别名：641-1673-1
  641-1673-1-ND
  641-1673-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R3K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R3K0CEBKMA1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 1.9W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3A16N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3A16N8CT-ND
  别名：ZXMP3A16N8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF06MA-E3/45
  仓库库存编号：DF06MA-E3/45GI-ND
  别名：DF06MA-E3/45-ND
  DF06MAE345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17579Q5AT
  仓库库存编号：296-41100-1-ND
  别名：296-41100-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 45V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD136G
  仓库库存编号：BD136GOS-ND
  别名：BD136GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF210-G
  仓库库存编号：641-1343-5-ND
  别名：641-1343-5
  DF210G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 100V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP201G-G
  仓库库存编号：641-1737-ND
  别名：641-1737
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 1000V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP210G-G
  仓库库存编号：641-1736-ND
  别名：641-1736
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 2A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF204-G
  仓库库存编号：641-1341-5-ND
  别名：641-1341-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 400V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP204G-G
  仓库库存编号：641-1735-ND
  别名：641-1735
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），30A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86102LZ
  仓库库存编号：FDB86102LZCT-ND
  别名：FDB86102LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A16DN8QTA
  仓库库存编号：ZXMP6A16DN8QTADICT-ND
  别名：ZXMP6A16DN8QTADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0109N3-G
  仓库库存编号：VP0109N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4G-BP
  仓库库存编号：GBU4G-BPMS-ND
  别名：GBU4G-BPMS
  GBU4GBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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