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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 83W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH02N250
仓库库存编号:
IXTH02N250-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N10
仓库库存编号:
IXTH75N10-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX100N65X2
仓库库存编号:
IXFX100N65X2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 1390W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK160N30T
仓库库存编号:
IXFK160N30T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT40N50L2
仓库库存编号:
IXTT40N50L2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
IC MOSFET DRIVER 6A HS 8CDIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-CERDIP
型号:
TC4420MJA
仓库库存编号:
TC4420MJA-ND
别名:TC4420MJAR
TC4420MJAR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A D-63
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 1000V 25A QC Terminal D-63
型号:
VS-26MT100
仓库库存编号:
26MT100-ND
别名:*26MT100
26MT100
VS-26MT100-ND
VS26MT100
VS26MT100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N200P3HV
仓库库存编号:
IXTA1N200P3HV-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR FLYBACK 16MSOP
详细描述:Flyback Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 16-MSOP
型号:
LT3748MPMS#PBF
仓库库存编号:
LT3748MPMS#PBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1600V 40A Chassis Mount SOT-227
型号:
APT40DR160HJ
仓库库存编号:
APT40DR160HJ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 110A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN140N30P
仓库库存编号:
IXFN140N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 106A(Tc) 521W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN106N20
仓库库存编号:
IXFN106N20-ND
别名:460915
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN40P50P
仓库库存编号:
IXTN40P50P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20N50D
仓库库存编号:
IXTH20N50D-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BCK BST ADJ 1A/2A 20TSSOP
详细描述:可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.7V 1 输出 1A,2A 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
型号:
LTC3115MPFE-1#PBF
仓库库存编号:
LTC3115MPFE-1#PBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN120N20
仓库库存编号:
IXFN120N20-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 96W(Tc) TO-220-3
型号:
NTP8G206NG
仓库库存编号:
NTP8G206NGOS-ND
别名:NTP8G206NGOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 300A 600V SOT-227B
详细描述:IGBT Module PT Single 600V 300A 830W Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXGN200N60B3
仓库库存编号:
IXGN200N60B3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 26A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N90
仓库库存编号:
IXFN26N90-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 77A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT77N60JC3
仓库库存编号:
APT77N60JC3-ND
别名:APT77N60JC3MI
APT77N60JC3MI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 145A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN150N65X2
仓库库存编号:
IXFN150N65X2-ND
别名:632512
IXFN150N65X2X
IXFN150N65X2X-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN90N25L2
仓库库存编号:
IXTN90N25L2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 38A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N100P
仓库库存编号:
IXFN38N100P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
详细描述:IGBT 3600V 45A 230W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXBF20N360
仓库库存编号:
IXBF20N360-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
IGBT 3600V 70A TO-268HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT20N360HV
仓库库存编号:
IXBT20N360HV-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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