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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：BUZ11_NR4941
  仓库库存编号：BUZ11_NR4941-ND
  别名：BUZ11NR4941
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 10A TO-220FP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220FP
  
  型号：MJF45H11G
  仓库库存编号：MJF45H11GOS-ND
  别名：MJF45H11G-ND
  MJF45H11GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 1000V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole KBU
  
  型号：KBU1010-G
  仓库库存编号：641-1359-ND
  别名：641-1359
  KBU1010G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8J
  仓库库存编号：GBU8JFS-ND
  别名：GBU8JFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CF
  仓库库存编号：FQPF9N50CFFS-ND
  别名：FQPF9N50CF-ND
  FQPF9N50CFFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9P25
  仓库库存编号：FQPF9P25FS-ND
  别名：FQPF9P25-ND
  FQPF9P25FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730APBF
  仓库库存编号：IRF730APBF-ND
  别名：*IRF730APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50T
  仓库库存编号：FDPF12N50T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2001-F
  仓库库存编号：GBJ2001-FDI-ND
  别名：GBJ2001-FDI
  GBJ2001F
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：IRLS640A
  仓库库存编号：IRLS640AFS-ND
  别名：IRLS640A-ND
  IRLS640AFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820APBF
  仓库库存编号：IRF820APBF-ND
  别名：*IRF820APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N50D2
  仓库库存编号：IXTY08N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N100D2
  仓库库存编号：IXTP08N100D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N50D2
  仓库库存编号：IXTP08N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP33N25
  仓库库存编号：FDP33N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDI604SIA
  仓库库存编号：CLA339-ND
  别名：CLA339
  IXDI604SIA-ND
  Q5428974
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI640GPBF
  仓库库存编号：IRFI640GPBF-ND
  别名：*IRFI640GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 300V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF14N30
  仓库库存编号：FDPF14N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP5NK80ZFP
  仓库库存编号：497-12056-5-ND
  别名：497-12056-5
  STP5NK80ZFP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF19NF20
  仓库库存编号：497-7472-5-ND
  别名：497-7472-5
  STF19NF20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 640mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP2206N3-G
  仓库库存编号：VP2206N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 35A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3506-BP
  仓库库存编号：GBJ3506-BPMS-ND
  别名：GBJ3506-BPMS
  GBJ3506BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP32P05T
  仓库库存编号：IXTP32P05T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP18P10T
  仓库库存编号：IXTP18P10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 45A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 220W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP45N15V2
  仓库库存编号：FQP45N15V2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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