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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3860T
  仓库库存编号：FDPF3860T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25C
  仓库库存编号：FQPF9N25C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 430mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0604N3-G
  仓库库存编号：TP0604N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G
  仓库库存编号：VN3205N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 400V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1504-BP
  仓库库存编号：GBJ1504-BPMS-ND
  别名：GBJ1504-BPMS
  GBJ1504BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 15A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU15M-BP
  仓库库存编号：GBU15M-BPMS-ND
  别名：GBU15M-BPMS
  GBU15MBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT GPP 4A 400V RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS404GL-BP
  仓库库存编号：RS404GL-BPMS-ND
  别名：RS404GL-BPMS
  RS404GLBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT GPP 4A 50V RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS401GL-BP
  仓库库存编号：RS401GL-BPMS-ND
  别名：RS401GL-BPMS
  RS401GLBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2540N5-G
  仓库库存编号：DN2540N5-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU601
  仓库库存编号：GBU601DI-ND
  别名：GBU601DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta），100A（Tc） 115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18504KCS
  仓库库存编号：296-35578-5-ND
  别名：296-35578-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92
  
  型号：LP0701N3-G
  仓库库存编号：LP0701N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 650mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP3203N3-G
  仓库库存编号：VP3203N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 100V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU801
  仓库库存编号：GBU801DI-ND
  别名：GBU801DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2W（Ta），60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8447L
  仓库库存编号：FDP8447L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9P25
  仓库库存编号：FQP9P25FS-ND
  别名：FQP9P25-ND
  FQP9P25FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
  
  型号：IXDN602PI
  仓库库存编号：CLA355-ND
  别名：CLA355
  IXDN602PI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 6A 100V PB-6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole PB-6
  
  型号：PB61-BP
  仓库库存编号：PB61-BPMS-ND
  别名：PB61-BPMS
  PB61BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840BPBF
  仓库库存编号：IRF840BPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9610PBF
  仓库库存编号：IRF9610PBF-ND
  别名：*IRF9610PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 220mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN2640N3-G
  仓库库存编号：TN2640N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU606
  仓库库存编号：GBU606DI-ND
  别名：GBU606-ND
  GBU606DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole KBU
  
  型号：KBU8M
  仓库库存编号：1242-1284-ND
  别名：1242-1284
  KBU8MGN
  KBU8MGN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740BPBF
  仓库库存编号：IRF740BPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8K
  仓库库存编号：GBU8KFS-ND
  别名：GBU8KFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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