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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole WOG
  
  型号：2W08G-E4/51
  仓库库存编号：2W08G-E4/51GI-ND
  别名：2W08G-E4/51-ND
  2W08G-E4/51GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 100V WOG
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole WOG
  
  型号：W01G-E4/51
  仓库库存编号：W01G-E4/51GI-ND
  别名：W01G-E4/51GI
  W01G/1
  W01G/1GI
  W01G/1GI-ND
  W01GE451
  W01GGI
  W01GGI-ND
  W01M
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 41.7W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1N60
  仓库库存编号：785-1184-5-ND
  别名：785-1184-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88537NDT
  仓库库存编号：296-37795-1-ND
  别名：296-37795-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A 4W Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
  
  型号：CSD87381PT
  仓库库存编号：296-37751-1-ND
  别名：296-37751-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0606N3-G
  仓库库存编号：TN0606N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0106N3-G
  仓库库存编号：VP0106N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B-BP
  仓库库存编号：GBU6B-BPMS-ND
  别名：GBU6B-BPMS
  GBU6BBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2110A
  仓库库存编号：ZVP2110A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 37.2A（Tc） 2.2W（Ta）, 25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT6009LCT
  仓库库存编号：DMT6009LCTDI-5-ND
  别名：DMT6009LCTDI-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P20
  仓库库存编号：FQP3P20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 15A TO220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 15A 50MHz 83W Through Hole TO-220AB
  
  型号：D45VH10G
  仓库库存编号：D45VH10GOS-ND
  别名：D45VH10GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3N30
  仓库库存编号：FQP3N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF620PBF
  仓库库存编号：IRF620PBF-ND
  别名：*IRF620PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220PBF
  仓库库存编号：IRFD220PBF-ND
  别名：*IRFD220PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820PBF
  仓库库存编号：IRF820PBF-ND
  别名：*IRF820PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4427N
  仓库库存编号：CLA400-ND
  别名：CLA400
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IX4428N
  仓库库存编号：CLA401-ND
  别名：CLA401
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B
  仓库库存编号：GBU6BFS-ND
  别名：GBU6B-ND
  GBU6BFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 139W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP19N20C
  仓库库存编号：FQP19N20C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NK80Z
  仓库库存编号：497-4379-5-ND
  别名：497-4379-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU402
  仓库库存编号：GBU402-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J
  仓库库存编号：GBU6JFS-ND
  别名：GBU6JFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18537NKCS
  仓库库存编号：296-36456-5-ND
  别名：296-36456-5
  CSD18537NKCS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL08-E3/45
  仓库库存编号：GBL08-E3/45GI-ND
  别名：GBL08-E3/45-ND
  GBL08E345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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