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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC036NE7NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC036NE7NS3GATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC014N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC014N06NS
  BSC014N06NS-ND
  BSC014N06NSATMA1CT
  BSC014N06NSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 89A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF7780MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7780MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7780MTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7185TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7185TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7185TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF4905STRL
  仓库库存编号：AUIRF4905STRLCT-ND
  别名：AUIRF4905STRLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R160C6
  仓库库存编号：IPB60R160C6CT-ND
  别名：IPB60R160C6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDATMA1CT-ND
  别名：IPB65R150CFDATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R280P7ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 106W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R150G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R150G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R150G7XTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R165CP
  仓库库存编号：IPB60R165CPCT-ND
  别名：IPB60R165CPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R140CP
  仓库库存编号：IPB50R140CPCT-ND
  别名：IPB50R140CPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R125G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R125G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R125G7XTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPT004N03LATMA1
  仓库库存编号：IPT004N03LATMA1CT-ND
  别名：IPT004N03LATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R125C6
  仓库库存编号：IPB60R125C6CT-ND
  别名：IPB60R125C6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB17N80C3
  仓库库存编号：SPB17N80C3INCT-ND
  别名：SPB17N80C3INCT
  SPB17N80C3XTINCT
  SPB17N80C3XTINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 25A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R125CP
  仓库库存编号：IPB60R125CPCT-ND
  别名：IPB60R125CPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 141W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R102G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R102G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R102G7XTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 40A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP20B120UD-EP
  仓库库存编号：IRGP20B120UD-EP-ND
  别名：*IRGP20B120UD-EP
  SP001541806
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 46A 313W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT 1200V 46A 313W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：SKW25N120FKSA1
  仓库库存编号：SKW25N120FKSA1-ND
  别名：SKW25N120
  SKW25N120-ND
  SP000012571
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 205mA（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVP4525ZTA
  仓库库存编号：ZVP4525ZCT-ND
  别名：ZVP4525ZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A18DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A18DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A18DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
  
  型号：USB50805CE3/TR7
  仓库库存编号：USB50805CE3/TR7CT-ND
  别名：USB0805CMS
  USB0805CMS-ND
  USB0805CMSCT
  USB0805CMSCT-ND
  USB50805C-AMSCT
  USB50805C-AMSCT-ND
  USB50805CE3/TR7CT
  USB50805CMSCT
  USB50805CMSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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