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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R420CFD
仓库库存编号：
IPB65R420CFDCT-ND
别名：IPB65R420CFDCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5IATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ31 H3045A
仓库库存编号：
BUZ31 H3045ACT-ND
别名：BUZ31 H3045ACT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 25.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030P03NS3 G
仓库库存编号：
BSC030P03NS3 GCT-ND
别名：BSC030P03NS3 GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC030N08NS5ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH4253DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4253DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4253DTRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 209A
详细描述：表面贴装 N 沟道 209A（Tc） 104W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRL7486MTRPBF
仓库库存编号：
IRL7486MTRPBFCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSG0811NDATMA1
仓库库存编号：
BSG0811NDATMA1CT-ND
别名：BSG0811NDATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 217A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF7480MTRPBF
仓库库存编号：
IRF7480MTRPBFCT-ND
别名：IRF7480MTRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8201TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8201TRPBFCT-ND
别名：IRFH8201TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042NE7NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GCT-ND
BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta） 3.5W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH4201TRPBF
仓库库存编号：
IRFH4201TRPBFCT-ND
别名：IRFH4201TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC037N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC037N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC037N08NS5ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC100N10NSF GCT
BSC100N10NSF GCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC079N10NSGATMA1CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC016N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC016N06NS
BSC016N06NS-ND
BSC016N06NSATMA1CT
BSC016N06NSCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 34A 100W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BC30S-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BC30S-STRLPCT-ND
别名：IRG4BC30S-STRLPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8 FL
型号：
BSC014N04LSIATMA1
仓库库存编号：
BSC014N04LSIATMA1CT-ND
别名：BSC014N04LSIATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号：
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名：IPD65R250E6XTMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W D2PAK
详细描述：IGBT NPT 600V 22A 156W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS10B60KDTRLP
仓库库存编号：
IRGS10B60KDTRLPCT-ND
别名：IRGS10B60KDTRLPCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC105N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名：IPB65R225C7ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH4251DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4251DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4251DTRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF60DM206
仓库库存编号：
IRF60DM206CT-ND
别名：IRF60DM206CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R190CFD
仓库库存编号：
IPB65R190CFDCT-ND
别名：IPB65R190CFDCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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