规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC072N08NS5ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名:AUIRFR5410TRLCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC018N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC018N04LS GCT
BSC018N04LS GCT-ND
BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LSI
仓库库存编号:
BSC011N03LSICT-ND
别名:BSC011N03LSICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8303TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8303TRPBFCT-ND
别名:IRFH8303TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7304
仓库库存编号:
IRF7304-ND
别名:*IRF7304
SP001571450
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO303P H
仓库库存编号:
BSO303P HCT-ND
别名:BSO303P HCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7855TRPBF
仓库库存编号:
IRF7855TRPBFCT-ND
别名:IRF7855TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TRPBF
仓库库存编号:
IRF7458PBFCT-ND
别名:*IRF7458TRPBF
IRF7458PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF
仓库库存编号:
IRF8252TRPBFCT-ND
别名:IRF8252TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC034N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC034N06NSATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC360N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC360N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GCT-ND
BSC360N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0911NDATMA1
仓库库存编号:
BSC0911NDATMA1CT-ND
别名:BSC0911NDATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7342QTR
仓库库存编号:
AUIRF7342QCT-ND
别名:AUIRF7342QCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
别名:BSC009NE2LS5ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC052N08NS5ATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8307TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8307TRPBFCT-ND
别名:IRFH8307TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRF40H210
仓库库存编号:
IRF40H210CT-ND
别名:IRF40H210CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS
仓库库存编号:
BSC009NE2LSCT-ND
别名:BSC009NE2LSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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