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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7910TRPBF
仓库库存编号：
IRF7910TRPBFCT-ND
别名：IRF7910TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7329TRPBF
仓库库存编号：
IRF7329PBFCT-ND
别名：*IRF7329TRPBF
IRF7329PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
型号：
BSC750N10ND G
仓库库存编号：
BSC750N10ND GCT-ND
别名：BSC750N10ND GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060P03NS3E G
仓库库存编号：
BSC060P03NS3E GCT-ND
别名：BSC060P03NS3E GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC026N04LSATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9310TRPBF
仓库库存编号：
IRF9310TRPBFCT-ND
别名：IRF9310TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ12DN20NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名：BSZ240N12NS3 GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2925U,115
仓库库存编号：
1727-3121-1-ND
别名：1727-3121-1
568-2344-1
568-2344-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709PBF
仓库库存编号：
IRF3709PBF-ND
别名：*IRF3709PBF
SP001570060
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4420DYPBFCT-ND
别名：*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC019N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC019N04NS GCT
BSC019N04NS GCT-ND
BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ019N03LS
仓库库存编号：
BSZ019N03LSCT-ND
别名：BSZ019N03LSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8202TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8202TRPBFCT-ND
别名：IRFH8202TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7309QTR
仓库库存编号：
AUIRF7309QCT-ND
别名：AUIRF7309QCT
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