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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRLL014NTR
  仓库库存编号：AUIRLL014NTRCT-ND
  别名：AUIRLL014NTRCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7862TRPBF
  仓库库存编号：IRF7862TRPBFCT-ND
  别名：IRF7862TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NS
  仓库库存编号：BSC0901NSCT-ND
  别名：BSC0901NSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ042N04NS G
  仓库库存编号：BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N04NSGINCT
  BSZ042N04NSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC032N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC032N04LSATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7316GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7316GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7316GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9910TRPBF
  仓库库存编号：IRF9910PBFCT-ND
  别名：*IRF9910TRPBF
  IRF9910PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC066N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC066N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC066N06NSATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6906XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6906XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7416GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7416GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7416GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7815TRPBF
  仓库库存编号：IRF7815TRPBFCT-ND
  别名：IRF7815TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7490TRPBF
  仓库库存编号：IRF7490TRPBFCT-ND
  别名：IRF7490TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0901NSI
  仓库库存编号：BSZ0901NSICT-ND
  别名：BSZ0901NSICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC025N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC025N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC025N03MSGINCT
  BSC025N03MSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD03N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD03N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD03N50C3ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N50C3
  仓库库存编号：SPD03N50C3INCT-ND
  别名：SPD03N50C3INCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7545TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7545TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7545TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UTRPBF
  仓库库存编号：IRG4RC10UTRPBFCT-ND
  别名：IRG4RC10UTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NSI
  仓库库存编号：BSC0901NSICT-ND
  别名：BSC0901NSICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7831TRPBF
  仓库库存编号：IRF7831PBFCT-ND
  别名：*IRF7831TRPBF
  IRF7831PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7425TRPBF
  仓库库存编号：IRF7425TRPBFCT-ND
  别名：IRF7425TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389TRPBF
  仓库库存编号：IRF7389PBFCT-ND
  别名：*IRF7389TRPBF
  IRF7389PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7420TRPBF
  仓库库存编号：IRF7420PBFCT-ND
  别名：*IRF7420TRPBF
  IRF7420PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7820TRPBF
  仓库库存编号：IRF7820TRPBFCT-ND
  别名：IRF7820TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7853TRPBF
  仓库库存编号：IRF7853TRPBFCT-ND
  别名：IRF7853TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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