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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH7134TRPBF
  仓库库存编号：IRLH7134TRPBFCT-ND
  别名：IRLH7134TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
  
  型号：PMCM6501VPEZ
  仓库库存编号：1727-2689-1-ND
  别名：1727-2689-1
  568-13208-1
  568-13208-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8235TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8235TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8235TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8324TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8324TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8324TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03LSGINCT
  BSZ100N03LSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03MSGINCT
  BSZ100N03MSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM9391TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM9391TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM9391TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7526D1TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB30XN,115
  仓库库存编号：1727-1328-1-ND
  别名：1727-1328-1
  568-10756-1
  568-10756-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ060NE2LS
  仓库库存编号：BSZ060NE2LSCT-ND
  别名：BSZ060NE2LSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9388TRPBF
  仓库库存编号：IRF9388TRPBFCT-ND
  别名：IRF9388TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP322PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP322PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP322PH6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP125H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP125H6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4315TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4315TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4315TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8736TRPBF
  仓库库存编号：IRF8736TRPBFCT-ND
  别名：IRF8736TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306TR
  仓库库存编号：IRF7306TR-ND
  别名：SP001551228
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ110N06NS3 G
  仓库库存编号：BSZ110N06NS3GINCT-ND
  别名：BSZ110N06NS3GINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7104TRPBF
  仓库库存编号：IRF7104PBFCT-ND
  别名：*IRF7104TRPBF
  IRF7104PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03MSGINCT
  BSZ088N03MSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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