规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6702TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6702PBFCT-ND
别名:*IRLMS6702TRPBF
IRLMS6702PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT1220
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A (Ta) 470mW(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB12UNEX
仓库库存编号:
1727-2703-1-ND
别名:1727-2703-1
568-13222-1
568-13222-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
型号:
PMDPB95XNE2X
仓库库存编号:
1727-2691-1-ND
别名:1727-2691-1
568-13210-1
568-13210-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB40UNE
仓库库存编号:
1727-1475-1-ND
别名:1727-1475-1
568-10946-1
568-10946-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB65ENEZ
仓库库存编号:
1727-1478-1-ND
别名:1727-1478-1
568-10949-1
568-10949-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB55ENEAX
仓库库存编号:
1727-2730-1-ND
别名:1727-2730-1
568-13294-1
568-13294-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 400mW(Ta),8.3W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB120EPE
仓库库存编号:
1727-1472-1-ND
别名:1727-1472-1
568-10943-1
568-10943-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0909NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0909NSATMA1CT-ND
别名:BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 480mA(Ta) 350mW(Ta) DFN1006-3
型号:
PMZ1000UN,315
仓库库存编号:
1727-5860-1-ND
别名:1727-5860-1
568-7439-1
568-7439-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL014NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL014NPBFCT-ND
别名:*IRFL014NTRPBF
IRFL014NPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta),33W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8329TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9335TRPBF
仓库库存编号:
IRF9335TRPBFCT-ND
别名:IRF9335TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607TRPBF
仓库库存编号:
IRF7607TRPBFCT-ND
别名:IRF7607TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TRPBF
仓库库存编号:
IRF7601TRPBFCT-ND
别名:IRF7601TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc)
型号:
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8326TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6217TRPBF
仓库库存编号:
IRF6217TRPBFCT-ND
别名:IRF6217TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL207SPH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL207SPH6327XTSA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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