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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 110A 284W TO247
  详细描述：IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW50HF60S
  仓库库存编号：497-11086-5-ND
  别名：497-11086-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC DRIVER H-BRIDGE 16-SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：HIP4082IB
  仓库库存编号：HIP4082IB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 341W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60_F085
  仓库库存编号：FCB20N60_F085CT-ND
  别名：FCB20N60_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 330V 90A 250W TO220
  详细描述：IGBT 330V 90A 250W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP100N30
  仓库库存编号：497-8782-5-ND
  别名：497-8782-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vicor Corporation
  MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3.1W（Ta） 3-LGA（4.1x8）
  
  型号：PI5101-01-LGIZ
  仓库库存编号：1102-1078-5-ND
  别名：1102-1078-5
  PI5101-00-LGIZ
  PI510101LGIZ
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 160W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-247AD
  
  型号：AUIRG4PC40S-E
  仓库库存编号：AUIRG4PC40S-E-ND
  别名：SP001511242
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 70A 250W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW40NC60W
  仓库库存编号：497-8783-5-ND
  别名：497-8783-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）
  
  型号：SIHP30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHP30N60E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH130N60
  仓库库存编号：FCH130N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 46W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF067N65S3
  仓库库存编号：FCPF067N65S3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 312W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB070N65S3
  仓库库存编号：FCB070N65S3CT-ND
  别名：FCB070N65S3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP099N60E
  仓库库存编号：FCP099N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC SO16
  
  型号：SM16LC12C
  仓库库存编号：SM16LC12CMSCT-ND
  别名：SM16LC12CMS
  SM16LC12CMS-ND
  SM16LC12CMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 16SOIC
  
  型号：SM16LC05E3/TR13
  仓库库存编号：SM16LC05E3MSCT-ND
  别名：SM16LC05E3MSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK VM 16SOIC
  详细描述：Converter Offline Flyback, Forward Topology 16-SOIC
  
  型号：UCC2580D-4
  仓库库存编号：296-11377-5-ND
  别名：296-11377-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 378W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 120A 378W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60SFDTU_F085
  仓库库存编号：FGH60N60SFDTU_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH125N60E
  仓库库存编号：FCH125N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60F
  仓库库存编号：FCA20N60F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21N90K5
  仓库库存编号：497-12851-1-ND
  别名：497-12851-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP110N65F
  仓库库存编号：FCP110N65F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），72A（Tc） 3.2W（Ta），113W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800152DC
  仓库库存编号：FDMT800152DCCT-ND
  别名：FDMT800152DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），99A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800150DC
  仓库库存编号：FDMT800150DCCT-ND
  别名：FDMT800150DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60M2
  仓库库存编号：497-13575-1-ND
  别名：497-13575-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），162A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800100DC
  仓库库存编号：FDMT800100DCCT-ND
  别名：FDMT800100DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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