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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 100A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：BBS3002-TL-1E
  仓库库存编号：BBS3002-TL-1EOSCT-ND
  别名：BBS3002-TL-1EOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60E-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），45A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86152
  仓库库存编号：FDMS86152CT-ND
  别名：FDMS86152CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7994DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7994DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7994DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FDPF51N25YDTU
  仓库库存编号：FDPF51N25YDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE DRMOS 45A 40-PQFN
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters DrMOS 40-PQFN (6x6)
  
  型号：FDMF6706B
  仓库库存编号：FDMF6706BCT-ND
  别名：FDMF6706BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NK60ZT4
  仓库库存编号：497-7933-1-ND
  别名：497-7933-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP400N80Z
  仓库库存编号：FCP400N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90C
  仓库库存编号：FQAF11N90CFS-ND
  别名：FQAF11N90C-ND
  FQAF11N90CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
  
  型号：USB50812C/TR7
  仓库库存编号：USB50812C/TR7CT-ND
  别名：USB0812CMS
  USB0812CMS-ND
  USB0812CMSCT
  USB0812CMSCT-ND
  USB50812C/TR7CT
  USB50812CMSCT
  USB50812CMSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SO
  
  型号：SMDA05/TR7
  仓库库存编号：SMDA05/TR7CT-ND
  别名：SMDA05/TR7CT
  SMDA05MS
  SMDA05MS-ND
  SMDA05MSCT
  SMDA05MSCT-ND
  SMDA05MSCTL
  SMDA05TR7
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
  
  型号：USB50803C/TR7
  仓库库存编号：USB50803C/TR7CT-ND
  别名：USB0803CMS
  USB0803CMS-ND
  USB0803CMSCT
  USB0803CMSCT-ND
  USB50803C/TR7CT
  USB50803CMSCT
  USB50803CMSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL35N15F3
  仓库库存编号：497-11208-1-ND
  别名：497-11208-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP170N60
  仓库库存编号：FCP170N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 212W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB290N80
  仓库库存编号：FCB290N80CT-ND
  别名：FCB290N80CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7439DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7439DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7439DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH80N60FDTU
  仓库库存编号：FGH80N60FDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF22N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF22N60E-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF16N50UT
  仓库库存编号：FDPF16N50UT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA22N60N
  仓库库存编号：FCA22N60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC DRVR HALF BRIDGE 10DFN
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-HTSSOP
  
  型号：ISL78420AVEZ
  仓库库存编号：ISL78420AVEZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 26A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16135-1-ND
  别名：497-16135-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 17A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IPW80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422758
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7880ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7880ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7880ADP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 100A 312W TO247
  详细描述：IGBT 600V 100A 312W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK50B60D1
  仓库库存编号：785-1624-5-ND
  别名：785-1624-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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