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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），28A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86200DC
  仓库库存编号：FDMS86200DCCT-ND
  别名：FDMS86200DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL85N6F3
  仓库库存编号：497-10882-1-ND
  别名：497-10882-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC DRIVER HALF BRIDGE 8EPSOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：HIP2100EIBZ
  仓库库存编号：HIP2100EIBZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR ISO PWM VM 8-SOIC
  详细描述：Converter Offline Up to 400kHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2960D
  仓库库存编号：296-11421-5-ND
  别名：296-11421-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8560L
  仓库库存编号：FDMD8560LCT-ND
  别名：FDMD8560LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB20N50F
  仓库库存编号：FDB20N50FCT-ND
  别名：FDB20N50FCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），417W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI27N25TU_F085
  仓库库存编号：FQI27N25TU_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC DRIVER HALF BRDG 100V 8-SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：HIP2101IBZT
  仓库库存编号：HIP2101IBZTCT-ND
  别名：HIP2101IBZTCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 125W（Tc） Power88
  
  型号：FCMT299N60
  仓库库存编号：FCMT299N60CT-ND
  别名：FCMT299N60CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC30UDPBF-ND
  别名：*IRG4PC30UDPBF
  SP001537204
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH30KPBF
  仓库库存编号：IRG4PH30KPBF-ND
  别名：*IRG4PH30KPBF
  SP001540542
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC PIEZO ACTUATOR DVR 24MLP
  详细描述：Half Bridge (2) Driver DC-DC Converters Power MOSFET 24-MLP (4x4)
  
  型号：FAN8841MPX
  仓库库存编号：FAN8841MPXCT-ND
  别名：FAN8841MPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL19N60DM2
  仓库库存编号：497-16361-1-ND
  别名：497-16361-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 35A 79W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 35A 79W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWF30NC60S
  仓库库存编号：497-10709-5-ND
  别名：497-10709-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK38N3LLH5
  仓库库存编号：497-8784-1-ND
  别名：497-8784-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP260N60E
  仓库库存编号：FCP260N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：HGT1S10N120BNST
  仓库库存编号：HGT1S10N120BNSTCT-ND
  别名：HGT1S10N120BNSTCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 208W D2PAK
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
  
  型号：FGB20N60SFD
  仓库库存编号：FGB20N60SFDCT-ND
  别名：FGB20N60SFDCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 403W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2710_F085
  仓库库存编号：FDP2710_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 20A 165W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH20N60SFDTU_F085
  仓库库存编号：FGH20N60SFDTU_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：HIP2100IBZT7A
  仓库库存编号：HIP2100IBZT7ACT-ND
  别名：HIP2100IBZT7ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422724
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001422552
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），200A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8350L
  仓库库存编号：FDMS8350LCT-ND
  别名：FDMS8350LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14NK50ZT4
  仓库库存编号：497-12534-1-ND
  别名：497-12534-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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