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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
型号：
STB8NM60T4
仓库库存编号：
497-5386-1-ND
别名：497-5386-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS3662
仓库库存编号：
FDMS3662CT-ND
别名：FDMS3662CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 6.2A, 1A 2.3W Surface Mount Power56
型号：
FDMS8095AC
仓库库存编号：
FDMS8095ACCT-ND
别名：FDMS8095ACCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.3W（Ta），78W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS3008SDC
仓库库存编号：
FDMS3008SDCCT-ND
别名：FDMS3008SDCCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），40A（Tc） 3W（Ta），66W（Tc） Dual Cool ? 33
型号：
FDMC2512SDC
仓库库存编号：
FDMC2512SDCCT-ND
别名：FDMC2512SDCCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86250
仓库库存编号：
FDMS86250CT-ND
别名：FDMS86250CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6290
仓库库存编号：
785-1594-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7172DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7172DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7172DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3604AS
仓库库存编号：
FDMS3604ASFSCT-ND
别名：FDMS3604ASFSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR892DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR892DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR892DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 215W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP19N40
仓库库存编号：
FDP19N40-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR804DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR804DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR804DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），155A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86550
仓库库存编号：
FDMS86550CT-ND
别名：FDMS86550CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.6A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS5352
仓库库存编号：
FDMS5352CT-ND
别名：FDMS5352CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 313W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB38N30U
仓库库存编号：
FDB38N30UCT-ND
别名：FDB38N30UCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） Power88
型号：
FCMT199N60
仓库库存编号：
FCMT199N60CT-ND
别名：FCMT199N60CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP20N50F
仓库库存编号：
FDP20N50F-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 50V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC35005W
仓库库存编号：
GBPC35005W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPXKSA1-ND
别名：IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF400N60
仓库库存编号：
FCPF400N60FS-ND
别名：FCPF400N60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 28A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），60A（Tc） 3.3W（Ta），59W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS8570SDC
仓库库存编号：
FDMS8570SDCCT-ND
别名：FDMS8570SDCCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 53.7A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc）
型号：
SIR872DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR872DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR872DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB150N10
仓库库存编号：
FDB150N10CT-ND
别名：FDB150N10CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC37321DGN
仓库库存编号：
296-13685-5-ND
别名：296-13685-5
UCC37321DGNG4
UCC37321DGNG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606058
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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