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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86110
  仓库库存编号：FDD86110CT-ND
  别名：FDD86110CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 18A 60W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 18A 60W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD10NC60ST4
  仓库库存编号：497-10013-1-ND
  别名：497-10013-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD82100L
  仓库库存编号：FDMD82100LCT-ND
  别名：FDMD82100LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 6A
  详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9P25YDTU
  仓库库存编号：FQPF9P25YDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS26N3LLH6
  仓库库存编号：497-12348-1-ND
  别名：497-12348-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 50V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2505
  仓库库存编号：DFB2505-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 100V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2510
  仓库库存编号：DFB2510-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB34N20LTM
  仓库库存编号：FQB34N20LTMCT-ND
  别名：FQB34N20LTM-ND
  FQB34N20LTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15912-1-ND
  别名：497-15912-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15899-1-ND
  别名：497-15899-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19532Q5B
  仓库库存编号：296-37478-1-ND
  别名：296-37478-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50TM
  仓库库存编号：FDB12N50TMCT-ND
  别名：FDB12N50TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DN3765K4-G
  仓库库存编号：DN3765K4-GCT-ND
  别名：DN3765K4-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 12W 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87355Q5D
  仓库库存编号：296-44041-1-ND
  别名：296-44041-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7942DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7942DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7942DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3606AS
  仓库库存编号：FDMS3606ASCT-ND
  别名：FDMS3606ASCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16415Q5
  仓库库存编号：296-30139-1-ND
  别名：296-30139-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9400T
  仓库库存编号：DI9400CT-ND
  别名：DI9400
  DI9400CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），41W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC8588DC
  仓库库存编号：FDMC8588DCCT-ND
  别名：FDMC8588DCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5018SG
  仓库库存编号：FDPC5018SGCT-ND
  别名：FDPC5018SGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 18A 60W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 18A 60W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD10NC60SDT4
  仓库库存编号：497-10014-1-ND
  别名：497-10014-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16N65M2
  仓库库存编号：497-15258-1-ND
  别名：497-15258-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8DIP
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-PDIP
  
  型号：UCC3809N-1
  仓库库存编号：296-11487-5-ND
  别名：296-11487-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7430DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7430DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7430DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7700S
  仓库库存编号：FDMS7700SCT-ND
  别名：FDMS7700SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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