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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 100V 20A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 20A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2010
  仓库库存编号：DFB2010-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 50V 20A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 20A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2005
  仓库库存编号：DFB2005-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8016S
  仓库库存编号：FDPC8016SCT-ND
  别名：FDPC8016SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI27N25TU
  仓库库存编号：FQI27N25TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANSISTOR PNP QUAD 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 200mA 450MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ3906 TR13
  仓库库存编号：MMPQ3906 TR13CT-ND
  别名：MMPQ3906 TR13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANSISTOR NPN QUAD SMD
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 200mA 450MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ3904 TR13
  仓库库存编号：MMPQ3904 TR13CT-ND
  别名：MMPQ3904 TR13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 42A 140W TO-247
  详细描述：IGBT 600V 42A 140W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW19NC60H
  仓库库存编号：497-10574-5-ND
  别名：497-10574-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6280
  仓库库存编号：785-1338-1-ND
  别名：785-1338-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 25A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5030SG
  仓库库存编号：FDPC5030SGCT-ND
  别名：FDPC5030SGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27424QDRQ1
  仓库库存编号：296-24481-1-ND
  别名：296-24481-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7866ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7866ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7866ADP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD7N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD7N60TM_WSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18532NQ5B
  仓库库存编号：296-36445-1-ND
  别名：296-36445-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63N02XTA
  仓库库存编号：ZXMD63N02XCT-ND
  别名：ZXMD63N02X
  ZXMD63N02XCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63N03XTA
  仓库库存编号：ZXMD63N03XCT-ND
  别名：ZXMD63N03X
  ZXMD63N03XCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB7NK80ZT4
  仓库库存编号：497-6557-1-ND
  别名：497-6557-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 130W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 40A 130W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB19NC60HDT4
  仓库库存编号：497-6026-1-ND
  别名：497-6026-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
  
  型号：SMDA15CDR2G
  仓库库存编号：SMDA15CDR2GOSCT-ND
  别名：SMDA15CDR2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL7N80K5
  仓库库存编号：497-14059-1-ND
  别名：497-14059-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR846ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR846ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16556Q5B
  仓库库存编号：296-35627-1-ND
  别名：296-35627-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5672
  仓库库存编号：FDMS5672CT-ND
  别名：FDMS5672CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16401Q5
  仓库库存编号：296-24525-1-ND
  别名：296-24525-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N80TM
  仓库库存编号：FQB6N80TMCT-ND
  别名：FQB6N80TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS039N08B
  仓库库存编号：FDMS039N08BCT-ND
  别名：FDMS039N08BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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