以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86260
  仓库库存编号：FDMC86260CT-ND
  别名：FDMC86260CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27324DR
  仓库库存编号：296-27156-1-ND
  别名：296-27156-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27423DR
  仓库库存编号：296-41798-1-ND
  别名：296-41798-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3668S
  仓库库存编号：FDMS3668SCT-ND
  别名：FDMS3668SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27424DR
  仓库库存编号：296-39526-1-ND
  别名：296-39526-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHN6A07T8TA
  仓库库存编号：ZXMHN6A07T8CT-ND
  别名：ZXMHN6A07T8TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC DUAL HS POWER FET DRIVR 8SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC37323DR
  仓库库存编号：296-38326-1-ND
  别名：296-38326-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC6A09DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC6A09DN8TACT-ND
  别名：ZXMC6A09DN8TACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 23A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7572S
  仓库库存编号：FDMS7572SCT-ND
  别名：FDMS7572SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL13N65M2
  仓库库存编号：497-15476-1-ND
  别名：497-15476-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  IC RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3501-BP
  仓库库存编号：GBJ3501-BPMS-ND
  别名：GBJ3501-BPMS
  GBJ3501BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  IC RECT BRIDGE GPP 35A 50V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ35005-BP
  仓库库存编号：GBJ35005-BPMS-ND
  别名：GBJ35005-BPMS
  GBJ35005BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16407Q5C
  仓库库存编号：296-25664-1-ND
  别名：296-25664-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86140
  仓库库存编号：FDS86140CT-ND
  别名：FDS86140CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR402DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR402DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR402DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 84W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL160NS3LLH7
  仓库库存编号：497-14988-1-ND
  别名：497-14988-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL8N10F7
  仓库库存编号：497-14991-1-ND
  别名：497-14991-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 114W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL150N3LLH5
  仓库库存编号：497-8483-1-ND
  别名：497-8483-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 110W（Tc）
  
  型号：IRFR430ATRPBF
  仓库库存编号：IRFR430ATRPBFCT-ND
  别名：IRFR430ATRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），80A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8360L
  仓库库存编号：FDMC8360LCT-ND
  别名：FDMC8360LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD380N60E
  仓库库存编号：FCD380N60ECT-ND
  别名：FCD380N60ECT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF18N20FT_G
  仓库库存编号：FDPF18N20FT_G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN2A04DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN2A04DN8CT-ND
  别名：ZXMN2A04DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 18A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：FDS86540
  仓库库存编号：FDS86540CT-ND
  别名：FDS86540CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3W（Ta），6.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4465ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4465ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4465ADY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索