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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27.8A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DDP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 13A 50W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 13A 50W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGDL6NC60DIT4
  仓库库存编号：497-8896-1-ND
  别名：497-8896-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：CDM7-600LR TR13
  仓库库存编号：CDM7-600LR TR13CT-ND
  别名：CDM7-600LR TR13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS13N3LLH5
  仓库库存编号：497-12347-1-ND
  别名：497-12347-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N80TM
  仓库库存编号：FQB4N80TMCT-ND
  别名：FQB4N80TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4260
  仓库库存编号：785-1463-1-ND
  别名：785-1463-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD13N60DM2
  仓库库存编号：497-16926-1-ND
  别名：497-16926-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS 4PNP 40V 0.2A 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 200mA 200MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ3906
  仓库库存编号：MMPQ3906CT-ND
  别名：MMPQ3906CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR HIGH SIDE 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN7171M_F085
  仓库库存编号：FAN7171M_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta），9A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86261P
  仓库库存编号：FDMC86261PCT-ND
  别名：FDMC86261PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 105A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL105NS3LLH7
  仓库库存编号：497-14986-1-ND
  别名：497-14986-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3600AS
  仓库库存编号：FDMS3600ASCT-ND
  别名：FDMS3600ASCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A09KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A09KCT-ND
  别名：ZXMN10A09KCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17303Q5
  仓库库存编号：296-27232-1-ND
  别名：296-27232-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 65W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 65W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB8NC60KT4
  仓库库存编号：497-7986-1-ND
  别名：497-7986-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FCD620N60ZF
  仓库库存编号：FCD620N60ZFCT-ND
  别名：FCD620N60ZFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18563Q5AT
  仓库库存编号：296-37748-1-ND
  别名：296-37748-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 14A 56W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 56W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGBL6NC60DT4
  仓库库存编号：497-7987-1-ND
  别名：497-7987-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 4W（Ta）, 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL86N3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16043-1-ND
  别名：497-16043-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCPF380N60E
  仓库库存编号：FCPF380N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ914DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ914DT-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16407Q5
  仓库库存编号：296-24252-1-ND
  别名：296-24252-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N50M2
  仓库库存编号：497-15306-1-ND
  别名：497-15306-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC
  
  型号：SMC5K12A-M3/H
  仓库库存编号：SMC5K12A-M3/HGICT-ND
  别名：SMC5K12A-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC
  
  型号：SMC5K10A-M3/H
  仓库库存编号：SMC5K10A-M3/HGICT-ND
  别名：SMC5K10A-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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