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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7923DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7923DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7923DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Tc) 2W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC8554
仓库库存编号:
FDMC8554CT-ND
别名:FDMC8554CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6699S
仓库库存编号:
FDS6699SCT-ND
别名:FDS6699SCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK90ZT4
仓库库存编号:
497-12785-1-ND
别名:497-12785-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF640STRLPBFCT-ND
别名:IRF640STRLPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7949DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7949DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7949DP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4628DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4628DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4628DY-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7913DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7913DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7913DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 17A 800mW, 900mW Surface Mount 8-MLP (3x4.5)
型号:
FDML7610S
仓库库存编号:
FDML7610SCT-ND
别名:FDML7610SCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6912
仓库库存编号:
FDS6912CT-ND
别名:FDS6912CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR638DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR638DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR638DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7214DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7214DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7214DN-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7120ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7120ADN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 28VWM 45VC SMC
型号:
LNBTVS6-304S
仓库库存编号:
497-16437-1-ND
别名:497-16437-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DNF60L
仓库库存编号:
497-3226-1-ND
别名:497-3226-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBJL
型号:
GBJL2510-BP
仓库库存编号:
GBJL2510-BP-ND
别名:GBJL2510
GBJL2510MS
GBJL2510MS-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.9W(Ta),50W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL11N4LLF5
仓库库存编号:
497-13650-1-ND
别名:497-13650-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 25A 400V GBJ
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBJ
型号:
GBJ2504-BP
仓库库存编号:
GBJ2504-BPMS-ND
别名:GBJ2504-BPMS
GBJ2504BP
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 26.5A(Ta),207A(Tc) 1.5W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4982NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4982NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4982NFT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N60NZ
仓库库存编号:
FDP7N60NZ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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