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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 78VWM 126VC SMB
  
  型号：SMBJ78A-13
  仓库库存编号：SMBJ78ADICT-ND
  别名：SMBJ78A13
  SMBJ78ACT
  SMBJ78ACT-ND
  SMBJ78ADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 350VWM 567VC DO214AA
  
  型号：SMBJ350A
  仓库库存编号：SMBJ350ABBCT-ND
  别名：SMBJ350ABBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），65A（Tc） 1.3W（Ta）, 42W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT3006LPS-13
  仓库库存编号：DMT3006LPS-13DICT-ND
  别名：DMT3006LPS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc）
  
  型号：SIA444DJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA444DJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA444DJT-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N15TM
  仓库库存编号：FQD5N15TMCT-ND
  别名：FQD5N15TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN100-7-F
  仓库库存编号：DMN100-FDICT-ND
  别名：DMN100-FDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 1.3W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2334DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2334DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2334DS-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2W（Tc） 8-SOP
  
  型号：RS3E095BNGZETB
  仓库库存编号：RS3E095BNGZETBCT-ND
  别名：RS3E095BNGZETBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 800V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF08S-E3/77
  仓库库存编号：DF08S-E3/77GICT-ND
  别名：DF08S-E3/77GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1W（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP2047UCB4-7
  仓库库存编号：DMP2047UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP2047UCB4-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6310P
  仓库库存编号：FDC6310PFSCT-ND
  别名：FDC6310PFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 300VWM 486VC SMB
  
  型号：SMBJ300A
  仓库库存编号：SMBJ300ABBCT-ND
  别名：SMBJ300ABBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP2066LSS-13
  仓库库存编号：DMP2066LSSDICT-ND
  别名：DMP2066LSSDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 160VWM 259VC SMB
  
  型号：SMBJ160A-13
  仓库库存编号：SMBJ160ADICT-ND
  别名：SMBJ160A13
  SMBJ160ACT
  SMBJ160ACT-ND
  SMBJ160ADICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 2.8VWM 8VC SOP8
  
  型号：ESDLC2V8P8U-TP
  仓库库存编号：ESDLC2V8P8U-TPMSCT-ND
  别名：ESDLC2V8P8U-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 130MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT2010P5-13
  仓库库存编号：DXT2010P5-13CT-ND
  别名：DXT2010P5-13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 100V 5A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 5A 125MHz 1W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DZT953-13
  仓库库存编号：DZT953DICT-ND
  别名：DZT953DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5.5A 120MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT2012P5-13
  仓库库存编号：DXT2012P5-13CT-ND
  别名：DXT2012P5-13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 1.5A 150MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：ZXTN04120HP5TC
  仓库库存编号：ZXTN04120HP5TCDICT-ND
  别名：ZXTN04120HP5TCDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7672
  仓库库存编号：FDMS7672CT-ND
  别名：FDMS7672CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4419
  仓库库存编号：785-1024-1-ND
  别名：785-1024-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 5A 125MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT2013P5-13
  仓库库存编号：DXT2013P5-13CT-ND
  别名：DXT2013P5-13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 65MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DSS5160FDB-7
  仓库库存编号：DSS5160FDB-7DICT-ND
  别名：DSS5160FDB-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP4A57E6TA
  仓库库存编号：ZXMP4A57E6TACT-ND
  别名：ZXMP4A57E6TACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 740mW（Ta） X1-WLB0808-4
  
  型号：DMN1054UCB4-7
  仓库库存编号：DMN1054UCB4-7DICT-ND
  别名：DMN1054UCB4-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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