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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU2N105K5
  仓库库存编号：497-15282-5-ND
  别名：497-15282-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27425P
  仓库库存编号：296-15872-5-ND
  别名：296-15872-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60F
  仓库库存编号：FCPF11N60F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF9640STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9640STRRPBFCT-ND
  别名：IRF9640STRRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FCU850N80Z
  仓库库存编号：FCU850N80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60E-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP11N60
  仓库库存编号：FCP11N60-ND
  别名：FCP11N60_NL
  FCP11N60_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15957-5-ND
  别名：497-15957-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 147W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD14N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD14N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R280C6
  IPI60R280C6-ND
  SP000687554
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI6N80K5
  仓库库存编号：497-15020-5-ND
  别名：497-15020-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18NM60N
  仓库库存编号：497-10300-5-ND
  别名：497-10300-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI10NK60Z
  仓库库存编号：497-12855-5-ND
  别名：497-12855-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 600V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2006-M3/45
  仓库库存编号：BU2006-M3/45GI-ND
  别名：BU2006-M3/45-ND
  BU2006-M3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 18A TO281
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI24N60M2
  仓库库存编号：497-13598-5-ND
  别名：497-13598-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU5N95K3
  仓库库存编号：497-12696-5-ND
  别名：497-12696-5
  STU5N95K3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD7NM80-1
  仓库库存编号：497-12787-5-ND
  别名：497-12787-5
  STD7NM80-1-ND
  STD7NM801
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM50N
  仓库库存编号：497-10576-5-ND
  别名：497-10576-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF16N60
  仓库库存编号：FCPF16N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 15A 100V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 15A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1501
  仓库库存编号：GBPC1501FS-ND
  别名：GBPC1501FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU10NM60N
  仓库库存编号：497-12692-5-ND
  别名：497-12692-5
  STU10NM60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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