以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4459CS RLG
  仓库库存编号：TSM4459CS RLGTR-ND
  别名：TSM4459CS RLGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4459CS RLG
  仓库库存编号：TSM4459CS RLGCT-ND
  别名：TSM4459CS RLGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4459CS RLG
  仓库库存编号：TSM4459CS RLGDKR-ND
  别名：TSM4459CS RLGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL8NH3LL
  仓库库存编号：497-4115-1-ND
  别名：497-4115-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-25YL,115
  仓库库存编号：1727-4275-1-ND
  别名：1727-4275-1
  568-4907-1
  568-4907-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Ta）, 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA20DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIRA20DP-T1-RE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N62E-GE3-ND
  别名：SIHD6N62E-GE3CT
  SIHD6N62E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 70W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM4NB65CH C5G
  仓库库存编号：TSM4NB65CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH070P05GZETB
  仓库库存编号：RSH070P05GZETBCT-ND
  别名：RSH070P05GZETBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL55NH3LL
  仓库库存编号：497-7018-1-ND
  别名：497-7018-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 51.6A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 51.6A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR622DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR622DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR622DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR642DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR642DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR642DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ438DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ438DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ438DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGCT-ND
  别名：TSM80N950CP ROGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N950CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N950CP ROGDKR-ND
  别名：TSM80N950CP ROGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS14N3LLH5
  仓库库存编号：497-7027-1-ND
  别名：497-7027-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10UDTRLP
  仓库库存编号：IRG4RC10UDTRLPCT-ND
  别名：IRG4RC10UDTRLPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL65N3LLH5
  仓库库存编号：497-8484-1-ND
  别名：497-8484-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 9.2A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3500
  仓库库存编号：FDMS3500CT-ND
  别名：FDMS3500CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索