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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R1K4CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R1K4CEBKMA1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  TVS DIODE 90VWM 146VC SMC
  
  型号：3.0SMCJ90ATR
  仓库库存编号：1655-1724-1-ND
  别名：1655-1724-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7488TRPBF
  仓库库存编号：IRF7488TRPBFCT-ND
  别名：IRF7488TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT 2A 1000V D3K
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
  
  型号：UD2KB100-BP
  仓库库存编号：UD2KB100-BPMS-ND
  别名：UD2KB100
  UD2KB100-BPMS
  UD2KB100MS
  UD2KB100MS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB-M
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DB-M
  
  型号：DB157TB
  仓库库存编号：1655-1828-ND
  别名：1655-1828
  1655-1828-1
  1655-1828-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 600V 1.5A DB-M
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole DB-M
  
  型号：DB155TB
  仓库库存编号：1655-1827-ND
  别名：1655-1827
  1655-1827-1
  1655-1827-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR644DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR644DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR644DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.4W（Tc） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL6N3LLH6
  仓库库存编号：497-13651-1-ND
  别名：497-13651-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4A（Ta），16A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8622
  仓库库存编号：FDMC8622CT-ND
  别名：FDMC8622CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA52DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A D3K
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
  
  型号：UG6KB60TB
  仓库库存编号：1655-1842-ND
  别名：1655-1842
  1655-1842-1
  1655-1842-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A D3K
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
  
  型号：UG6KB100TB
  仓库库存编号：1655-1841-ND
  别名：1655-1841
  1655-1841-1
  1655-1841-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ730DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ730DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ730DT-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NK50ZT4
  仓库库存编号：497-3520-1-ND
  别名：497-3520-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA60DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM170N06CH C5G
  仓库库存编号：TSM170N06CH C5G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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