规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 66A(Tc) 44.6W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N06CP ROGCT-ND
别名:TSM60N06CP ROGCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 66A(Tc) 44.6W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N06CP ROGDKR
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 36.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJA54DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJA54DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJA54DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS71DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS71DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS71DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMP3015LSSQ-13
仓库库存编号:
DMP3015LSSQ-13DICT-ND
别名:DMP3015LSSQ-13DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),106A(Tc) 1.7W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4983NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4983NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4983NFT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
30V NCH NCH MID POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
型号:
HP8K22TB
仓库库存编号:
HP8K22TBCT-ND
别名:HP8K22TBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13.1A(Tc) 2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD19538Q2T
仓库库存编号:
296-44612-1-ND
别名:296-44612-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A D3K
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
型号:
UG2KB100TB
仓库库存编号:
1655-1835-ND
别名:1655-1835
1655-1835-1
1655-1835-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A D3K
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
型号:
UG2KB60TB
仓库库存编号:
1655-1836-ND
别名:1655-1836
1655-1836-1
1655-1836-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBP
型号:
KBP206GTB
仓库库存编号:
1655-1829-ND
别名:1655-1829
1655-1829-1
1655-1829-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTWG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTWGOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
型号:
KBP410GTB
仓库库存编号:
1655-1834-ND
别名:1655-1834
1655-1834-1
1655-1834-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBP
型号:
KBP406GTB
仓库库存编号:
1655-1833-ND
别名:1655-1833
1655-1833-1
1655-1833-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGTR-ND
别名:TSM3N80CP ROGTR
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGCT-ND
别名:TSM3N80CP ROGCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N80CP ROGDKR-ND
别名:TSM3N80CP ROGDKR
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C59NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C59NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C59NT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
型号:
SMLJ54CA
仓库库存编号:
SMLJ54CABCT-ND
别名:SMLJ54CABCT
SMLJ54CACT
SMLJ54CACT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA72DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA72DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA58DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA58DP-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.6A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3008SFGQ-7
仓库库存编号:
DMP3008SFGQ-7DICT-ND
别名:DMP3008SFGQ-7DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ407EP-T1_GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A D3K
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
型号:
UG4KB60TB
仓库库存编号:
1655-1840-ND
别名:1655-1840
1655-1840-1
1655-1840-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A D3K
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
型号:
UG4KB100TB
仓库库存编号:
1655-1839-ND
别名:1655-1839
1655-1839-1
1655-1839-1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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