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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 375mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP126,115
  仓库库存编号：1727-4927-1-ND
  别名：1727-4927-1
  568-6219-1
  568-6219-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A, 9.7A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7902TRPBF
  仓库库存编号：IRF7902TRPBFCT-ND
  别名：IRF7902TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-M
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole DB-M
  
  型号：DB105TB
  仓库库存编号：1655-1825-ND
  别名：1655-1825
  1655-1825-1
  1655-1825-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-M
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DB-M
  
  型号：DB107TB
  仓库库存编号：1655-1826-ND
  别名：1655-1826
  1655-1826-1
  1655-1826-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A D3K
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
  
  型号：UG3KB100GTB
  仓库库存编号：1655-1837-ND
  别名：1655-1837
  1655-1837-1
  1655-1837-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
  
  型号：KBP310GTB
  仓库库存编号：1655-1832-ND
  别名：1655-1832
  1655-1832-1
  1655-1832-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A D3K
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
  
  型号：UG3KB60GTB
  仓库库存编号：1655-1838-ND
  别名：1655-1838
  1655-1838-1
  1655-1838-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBP
  
  型号：KBP306GTB
  仓库库存编号：1655-1831-ND
  别名：1655-1831
  1655-1831-1
  1655-1831-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO214AB
  
  型号：SMLJ43A
  仓库库存编号：SMLJ43ABCT-ND
  别名：SMLJ43ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5504BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5504BDC-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS10DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta），80A（Tc） 2.2W（Ta）, 62.5W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6007LFG-7
  仓库库存编号：DMT6007LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6007LFG-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 26A（Ta），90A（Tc） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT4004LPS-13
  仓库库存编号：DMT4004LPS-13DICT-ND
  别名：DMT4004LPS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM650N15CS RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CS RLGTR-ND
  别名：TSM650N15CS RLGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM650N15CS RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CS RLGCT-ND
  别名：TSM650N15CS RLGCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM650N15CS RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CS RLGDKR-ND
  别名：TSM650N15CS RLGDKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 45V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN200A
  仓库库存编号：PN200A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 40V 30A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 39A（Tc） 20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3G150GNTB
  仓库库存编号：RQ3G150GNTBCT-ND
  别名：RQ3G150GNTBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.1A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISS98DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS98DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS98DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 1A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole 4-DF
  
  型号：DF04-G
  仓库库存编号：641-1338-5-ND
  别名：641-1338-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 600V 1A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole 4-DF
  
  型号：DF06-G
  仓库库存编号：641-1339-5-ND
  别名：641-1339-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE RECT 1A 1KV DBS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Surface Mount DBS
  
  型号：DB107S-G
  仓库库存编号：641-1674-5-ND
  别名：641-1674-1
  641-1674-1-ND
  641-1674-5
  DB107S-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.7W Surface Mount 4-Picostar (1.31x1.31)
  
  型号：CSD85302LT
  仓库库存编号：296-43314-1-ND
  别名：296-43314-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 66A（Tc） 44.6W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N06CP ROGTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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