规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 20.5WVM 33.2VC AEC-Q
型号:
TP1.5KE24A
仓库库存编号:
F7639CT-ND
别名:F7639CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 33.3WVM 53.9VC AEC-Q
型号:
TP1.5KE39A
仓库库存编号:
F7641CT-ND
别名:F7641CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 33.3WVM 53.9VC AEC-Q
型号:
TP1.5KE39CA
仓库库存编号:
F7642CT-ND
别名:F7642CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 40.2WVM 64.8VC AEC-Q
型号:
TP1.5KE47A
仓库库存编号:
F7643CT-ND
别名:F7643CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 12.8VWM DO-214AB
型号:
TPSMC15CA
仓库库存编号:
F6518CT-ND
别名:F6518CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16A(Ta),59A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16410Q5A
仓库库存编号:
296-24254-1-ND
别名:296-24254-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 300VWM 486VC SMC
型号:
SMCJ300A
仓库库存编号:
SMCJ300ABBCT-ND
别名:SMCJ300ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 400VWM 648VC SMC
型号:
SMCJ400A
仓库库存编号:
SMCJ400ABBCT-ND
别名:SMCJ400ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 495VWM 760VC DO214AB
型号:
1.5SMC550A
仓库库存编号:
1.5SMC550ABBCT-ND
别名:1.5SMC550ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 200VWM 324VC SMC
型号:
SMCJ200A
仓库库存编号:
SMCJ200ABBCT-ND
别名:SMCJ200ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 440VWM 713VC SMC
型号:
SMCJ440A
仓库库存编号:
SMCJ440ABBCT-ND
别名:SMCJ440ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount
型号:
SI5515CDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5515CDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5515CDC-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 408VWM 658VC DO214AB
型号:
1.5SMC480A
仓库库存编号:
1.5SMC480ABBCT-ND
别名:1.5SMC480ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 180VWM 292VC SMC
型号:
SMCJ180A
仓库库存编号:
SMCJ180ABBCT-ND
别名:SMCJ180ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 220VWM 356VC SMC
型号:
SMCJ220A
仓库库存编号:
SMCJ220ABBCT-ND
别名:SMCJ220ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 250VWM 405VC SMC
型号:
SMCJ250A
仓库库存编号:
SMCJ250ABBCT-ND
别名:SMCJ250ABBCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS11N3LLH5
仓库库存编号:
497-10310-1-ND
别名:497-10310-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS436DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS436DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS436DN-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VPBFCT-ND
别名:*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
详细描述:JFET N-Channel 40V 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
PF5102
仓库库存编号:
PF5102FS-ND
别名:PF5102-ND
PF5102FS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3590DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3590DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3590DV-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 200mA(Ta) 360mW(Ta)
型号:
TN2404K-T1-GE3
仓库库存编号:
TN2404K-T1-GE3CT-ND
别名:TN2404K-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.7A(Tc) 48W(Ta) TO-252
型号:
DMG4N60SK3-13
仓库库存编号:
DMG4N60SK3-13DICT-ND
别名:DMG4N60SK3-13DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),50A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8316TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8316TRPBFCT-ND
别名:IRFH8316TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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