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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW37N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16103-5-ND
  别名：497-16103-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW35N60DM2
  仓库库存编号：497-16356-5-ND
  别名：497-16356-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 55A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50WPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50WPBF-ND
  别名：*IRG4PC50WPBF
  92-0254PBF
  92-0254PBF-ND
  SP001537164
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16490-5-ND
  别名：497-16490-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50FPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50FPBF-ND
  别名：*IRG4PC50FPBF
  SP001537174
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60DM2
  仓库库存编号：497-16350-5-ND
  别名：497-16350-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298000
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16132-5-ND
  别名：497-16132-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 40A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP20B120U-EP
  仓库库存编号：IRGP20B120U-EP-ND
  别名：*IRGP20B120U-EP
  IRGP20B120UEP
  SP001540820
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-E3-ND
  别名：SIHB24N65EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW43N60DM2
  仓库库存编号：497-16343-5-ND
  别名：497-16343-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG SWITCHD CAP ADJ 10-MSOP
  详细描述：可调式 充电泵 开关稳压器 IC 正 2.4V 1 输出 50mA 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3255HMSE#PBF
  仓库库存编号：LTC3255HMSE#PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 900V 51A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PF50WPBF
  仓库库存编号：IRG4PF50WPBF-ND
  别名：*IRG4PF50WPBF
  63-6017PBF
  63-6017PBF-ND
  SP001533582
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N60EF-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298004
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125CP
  仓库库存编号：IPW60R125CP-ND
  别名：IPW60R125CPFKSA1
  IPW60R125CPX
  IPW60R125CPXK
  SP000088489
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHF28N60EF-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3508W
  仓库库存编号：VS-GBPC3508WVS-ND
  别名：GBPC3508WIR
  GBPC3508WIR-ND
  GBPC3508WVS
  GBPC3508WVS-ND
  VS-GBPC3508WIR
  VS-GBPC3508WIR-ND
  VS-GBPC3508WVS
  VSGBPC3508W
  VSGBPC3508WIR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 223W TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB50N60FWG
  仓库库存编号：NGTB50N60FWGOS-ND
  别名：NGTB50N60FWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60EF-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R340C3
  仓库库存编号：IPW90R340C3-ND
  别名：IPW90R340C3FKSA1
  SP000411306
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30F50B
  仓库库存编号：APT30F50B-ND
  别名：APT30F50BMP
  APT30F50BMP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60EF-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP20N90K5
  仓库库存编号：497-17087-ND
  别名：497-17087
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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