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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N40D-E3
  仓库库存编号：SIHG25N40D-E3-ND
  别名：SIHG25N40DE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 49A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40FPBF
  仓库库存编号：IRG4PC40FPBF-ND
  别名：*IRG4PC40FPBF
  SP001545694
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU15NM65N
  仓库库存编号：497-16109-5-ND
  别名：497-16109-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2508T
  仓库库存编号：1242-1270-ND
  别名：1242-1270
  GBPC2508T/WGN
  GBPC2508T/WGN-ND
  GBPC2508TGN-ND
  GBPC2508TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2508W
  仓库库存编号：1242-1292-ND
  别名：1242-1292
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW15N60C3
  仓库库存编号：SPW15N60C3IN-ND
  别名：SP000014530
  SPW15N60C3-ND
  SPW15N60C3FKSA1
  SPW15N60C3IN
  SPW15N60C3X
  SPW15N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60E-E3-ND
  别名：SIHA22N60E-E3CT
  SIHA22N60E-E3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU15N80K5
  仓库库存编号：497-16108-5-ND
  别名：497-16108-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO-247
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW35HF60WD
  仓库库存编号：497-10073-5-ND
  别名：497-10073-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF33N60DM2
  仓库库存编号：497-16355-5-ND
  别名：497-16355-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R160C6
  仓库库存编号：IPW60R160C6-ND
  别名：IPW60R160C6FKSA1
  SP000652798
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 100V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 15A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1501-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1501-E4/51GI-ND
  别名：GBPC1501-E4/51-ND
  GBPC1501E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 25A 800V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2508W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC2508W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC2508W-E4/51-ND
  GBPC2508W-E4/51GI
  GBPC2508WE451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 15A 1000V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1510-E4/51
  仓库库存编号：GBPC1510-E4/51-ND
  别名：GBPC1510E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N60EF-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114648
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2510W
  仓库库存编号：1242-1293-ND
  别名：1242-1293
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA21N60EF-E3
  仓库库存编号：SIHA21N60EF-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 20A
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU28N65M2
  仓库库存编号：497-16307-5-ND
  别名：497-16307-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF23N80K5
  仓库库存编号：497-16305-5-ND
  别名：497-16305-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP244PBF
  仓库库存编号：IRFP244PBF-ND
  别名：*IRFP244PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP23N80K5
  仓库库存编号：497-16319-5-ND
  别名：497-16319-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-E3-ND
  别名：SIHB22N60EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 70A 250W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW45HF60WDI
  仓库库存编号：497-10402-5-ND
  别名：497-10402-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU13N80K5
  仓库库存编号：497-17144-ND
  别名：497-17144
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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