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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG14N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG14N50D-E3-ND
  别名：SIHG14N50DE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30FD1PBF
  仓库库存编号：IRG4BC30FD1PBF-ND
  别名：*IRG4BC30FD1PBF
  SP001545790
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R199CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R199CP
  IPA60R199CP-ND
  SP000094146
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R199CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R199CP
  IPP60R199CP-ND
  IPP60R199CPAKSA1
  IPP60R199CPIN
  IPP60R199CPIN-ND
  IPP60R199CPX
  IPP60R199CPXK
  SP000084278
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 17A 45W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC30KDPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC30KDPBF-ND
  别名：*IRG4IBC30KDPBF
  SP001549282
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI26N60M2
  仓库库存编号：497-16517-5-ND
  别名：497-16517-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF26N60M2
  仓库库存编号：497-16514-5-ND
  别名：497-16514-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP15N65E-GE3-ND
  别名：SIHP15N65E-GE3CT
  SIHP15N65E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM80
  仓库库存编号：497-16444-ND
  别名：497-16444
  STF7NM80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 227W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP24N40
  仓库库存编号：FDP24N40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N65APBF
  仓库库存编号：IRFIB5N65APBF-ND
  别名：*IRFIB5N65APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N60C3
  仓库库存编号：SPW11N60C3IN-ND
  别名：SP000013728
  SPW11N60C3-ND
  SPW11N60C3FKSA1
  SPW11N60C3IN
  SPW11N60C3X
  SPW11N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001296232
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP21N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP21N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681066
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC30KDPBF-ND
  别名：*IRG4PC30KDPBF
  SP001549398
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024
  仓库库存编号：IRLR024-ND
  别名：*IRLR024
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 80A 278W TO247
  详细描述：IGBT 600V 80A 278W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK40B60D1
  仓库库存编号：785-1623-5-ND
  别名：785-1623-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF30GPBF
  仓库库存编号：IRFIBF30GPBF-ND
  别名：*IRFIBF30GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60
  仓库库存编号：FCP190N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 220W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 600V 40A 220W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP20B60PDPBF
  仓库库存编号：IRGP20B60PDPBF-ND
  别名：*IRGP20B60PDPBF
  SP001548130
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2502W
  仓库库存编号：1242-1289-ND
  别名：1242-1289
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2506T
  仓库库存编号：1242-1269-ND
  别名：1242-1269
  GBPC2506T/WGN
  GBPC2506T/WGN-ND
  GBPC2506TGN-ND
  GBPC2506TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2504W
  仓库库存编号：1242-1290-ND
  别名：1242-1290
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 208W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB15B60KDPBF
  仓库库存编号：IRGB15B60KDPBF-ND
  别名：*IRGB15B60KDPBF
  SP001540650
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3508W
  仓库库存编号：1242-1295-ND
  别名：1242-1295
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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