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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI12N60M2
  仓库库存编号：497-16015-5-ND
  别名：497-16015-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N65E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 20A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2006-BP
  仓库库存编号：GBJ2006-BPMS-ND
  别名：GBJ2006-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU7LN80K5
  仓库库存编号：497-16498-5-ND
  别名：497-16498-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R199CP
  仓库库存编号：IPB60R199CPCT-ND
  别名：IPB60R199CPCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26N60M2
  仓库库存编号：497-17546-1-ND
  别名：497-17546-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK60Z
  仓库库存编号：497-3196-5-ND
  别名：497-3196-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MODULE DRMOS XS 40-MLP
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters DrMOS 40-MLP (6x6)
  
  型号：FDMF6704A
  仓库库存编号：FDMF6704ACT-ND
  别名：FDMF6704ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD420PBF
  仓库库存编号：IRFD420PBF-ND
  别名：*IRFD420PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N50C3
  仓库库存编号：SPB21N50C3INCT-ND
  别名：SPB21N50C3INCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE808DF-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：SIHD7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-GE3-ND
  别名：SIHD7N60EGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI7LN80K5
  仓库库存编号：497-16494-5-ND
  别名：497-16494-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 6.8A 25W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC10UDPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC10UDPBF-ND
  别名：*IRG4IBC10UDPBF
  63-7000PBF
  63-7000PBF-ND
  SP001545754
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI730GPBF
  仓库库存编号：IRFI730GPBF-ND
  别名：*IRFI730GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20SPBF
  SP001532494
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BH20K-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BH20K-SPBF-ND
  别名：*IRG4BH20K-SPBF
  IRG4BH20KSPBF
  SP001536124
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB23N80K5
  仓库库存编号：497-16298-1-ND
  别名：497-16298-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N65M2
  仓库库存编号：497-16939-1-ND
  别名：497-16939-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF260N60E
  仓库库存编号：FCPF260N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB35N15T4G
  仓库库存编号：NTB35N15T4GOSCT-ND
  别名：NTB35N15T4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFDC20PBF
  仓库库存编号：IRFDC20PBF-ND
  别名：*IRFDC20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30SPBF-ND
  别名：*IRG4BC30SPBF
  SP001535662
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：STFI9N80K5
  仓库库存编号：497-16495-5-ND
  别名：497-16495-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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