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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63P03XTA
  仓库库存编号：ZXMD63P03XCT-ND
  别名：ZXMD63P03X
  ZXMD63P03XCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK80Z-1
  仓库库存编号：497-16198-5-ND
  别名：497-16198-5
  STD1NK80Z-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL10-E3/45
  仓库库存编号：GBL10-E3/45GI-ND
  别名：GBL10-E3/45-ND
  GBL10E345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4472DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4472DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4472DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU210PBF
  仓库库存编号：IRFU210PBF-ND
  别名：*IRFU210PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2535N3-G
  仓库库存编号：TP2535N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4LN80K5
  仓库库存编号：497-17292-ND
  别名：497-17292
  STF4LN80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 29.7W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA03N60C3
  仓库库存编号：SPA03N60C3IN-ND
  别名：SP000216296
  SPA03N60C3IN
  SPA03N60C3XK
  SPA03N60C3XKSA1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL02
  仓库库存编号：1242-1267-ND
  别名：1242-1267
  GBL02GN
  GBL02GN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFUC20PBF
  仓库库存编号：IRFUC20PBF-ND
  别名：*IRFUC20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD5NK40Z-1
  仓库库存编号：497-16199-5-ND
  别名：497-16199-5
  STD5NK40Z-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU214PBF
  仓库库存编号：IRFU214PBF-ND
  别名：*IRFU214PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2HNK60Z
  仓库库存编号：497-12575-5-ND
  别名：497-12575-5
  STF2HNK60Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.7W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
  
  型号：FDZ375P
  仓库库存编号：FDZ375PCT-ND
  别名：FDZ375PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF720SPBF
  仓库库存编号：IRF720SPBF-ND
  别名：*IRF720SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5N80K5
  仓库库存编号：497-16933-ND
  别名：497-16933
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU224PBF
  仓库库存编号：IRFU224PBF-ND
  别名：*IRFU224PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU04N60C3
  仓库库存编号：SPU04N60C3IN-ND
  别名：SP000095850
  SPU04N60C3-ND
  SPU04N60C3BKMA1
  SPU04N60C3IN
  SPU04N60C3X
  SPU04N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N80K5
  仓库库存编号：497-16962-ND
  别名：497-16962
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD310PBF
  仓库库存编号：IRFD310PBF-ND
  别名：*IRFD310PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU12N60M2
  仓库库存编号：497-16024-5-ND
  别名：497-16024-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60DM2
  仓库库存编号：497-16959-ND
  别名：497-16959
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N60M2
  仓库库存编号：497-13970-5-ND
  别名：497-13970-5
  STP10N60M2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820ASPBF
  仓库库存编号：IRF820ASPBF-ND
  别名：*IRF820ASPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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