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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO201SP H
  仓库库存编号：BSO201SP HCT-ND
  别名：BSO201SP HCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  DIODE BRIDGE 2A 600V KBPR
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole KBPR
  
  型号：KBP06M-BP
  仓库库存编号：KBP06M-BPMS-ND
  别名：KBP06M-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LSI
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSICT-ND
  别名：BSZ018NE2LSICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3686S
  仓库库存编号：FDMS3686SCT-ND
  别名：FDMS3686SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60C3
  仓库库存编号：SPB04N60C3INCT-ND
  别名：SPB04N60C3INCT
  SPB04N60C3XTINCT
  SPB04N60C3XTINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7LN80K5
  仓库库存编号：497-16491-1-ND
  别名：497-16491-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 10VWM 17VC
  
  型号：SMC5K10AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K10AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K10AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC
  
  型号：SMC5K12AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K12AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K12AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 13VWM 21.5VC
  
  型号：SMC5K13AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K13AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K13AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 17VWM 27.6VC
  
  型号：SMC5K17AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K17AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K17AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 18VWM 29.2VC
  
  型号：SMC5K18AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K18AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K18AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC
  
  型号：SMC5K20AHM3/I
  仓库库存编号：SMC5K20AHM3/IGICT-ND
  别名：SMC5K20AHM3/IGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC017N04NS G
  仓库库存编号：BSC017N04NS GCT-ND
  别名：BSC017N04NS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898AZ_F085
  仓库库存编号：FDS6898AZ_F085CT-ND
  别名：FDS6898AZ_F085CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7084TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7084TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7084TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5410PBF
  仓库库存编号：IRFU5410PBF-ND
  别名：*IRFU5410PBF
  SP001557796
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF06N60ZG
  仓库库存编号：NDF06N60ZGOS-ND
  别名：NDF06N60ZG-ND
  NDF06N60ZGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3LN80K5
  仓库库存编号：497-17291-ND
  别名：497-17291
  STF3LN80K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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