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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 130VWM 209VC SMC
  
  型号：SMCJ130CA-13-F
  仓库库存编号：SMCJ130CA-FDICT-ND
  别名：SMCJ130CA-FDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ058N03LS G
  仓库库存编号：BSZ058N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ058N03LSGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC050N03MSGINCT
  BSC050N03MSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
  
  型号：DMN2011UFX-7
  仓库库存编号：DMN2011UFX-7DICT-ND
  别名：DMN2011UFX-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 12V 5A 3-WDFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 5A 100MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
  
  型号：NSS12500UW3T2G
  仓库库存编号：NSS12500UW3T2GOSCT-ND
  别名：NSS12500UW3T2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMC
  
  型号：ATV15C120J-HF
  仓库库存编号：641-1580-1-ND
  别名：641-1580-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 5.8VWM 13.4VC SMC
  
  型号：SM15T6V8CA
  仓库库存编号：497-6488-1-ND
  别名：497-6488-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMB
  
  型号：SMB10J20A-E3/52
  仓库库存编号：SMB10J20A-E3/52GICT-ND
  别名：SMB10J20A-E3/52GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP26M7UFG-7
  仓库库存编号：DMP26M7UFG-7DICT-ND
  别名：DMP26M7UFG-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N20TM
  仓库库存编号：FDD6N20TMCT-ND
  别名：FDD6N20TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.4A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN4027SSD-13
  仓库库存编号：DMN4027SSD-13CT-ND
  别名：DMN4027SSD-13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 20V 3.5A 180MHz 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXTD718MCTA
  仓库库存编号：ZXTD718MCTACT-ND
  别名：ZXTD718MCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 4.5A 140MHz 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXTD618MCTA
  仓库库存编号：ZXTD618MCTACT-ND
  别名：ZXTD618MCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXTC6720MCTA
  仓库库存编号：ZXTC6720MCTACT-ND
  别名：ZXTC6720MCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 12V 4A DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 12V 4A 110MHz 3W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXTPS717MCTA
  仓库库存编号：ZXTPS717MCTACT-ND
  别名：ZXTPS717MCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXMN3AMCTA
  仓库库存编号：ZXMN3AMCTACT-ND
  别名：ZXMN3AMCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.5A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC4028SSD-13
  仓库库存编号：DMC4028SSD-13DICT-ND
  别名：DMC4028SSD-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7402TRPBF
  仓库库存编号：IRF7402PBFCT-ND
  别名：*IRF7402TRPBF
  IRF7402PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 12V 3A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 110MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT717TA
  仓库库存编号：FZT717CT-ND
  别名：FZT717CT
  FZT717TA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR825TRPBF
  仓库库存编号：IRFR825TRPBFCT-ND
  别名：IRFR825TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC084P03NS3 G
  仓库库存编号：BSC084P03NS3 GCT-ND
  别名：BSC084P03NS3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP2120G4TA
  仓库库存编号：ZXMP2120G4CT-ND
  别名：ZXMP2120G4CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03MS G
  仓库库存编号：BSZ035N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ035N03MSGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
  
  型号：SMLJ12A
  仓库库存编号：SMLJ12ABCT-ND
  别名：SMLJ12ABCT
  SMLJ12ACT
  SMLJ12ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB
  
  型号：SMLJ14A
  仓库库存编号：SMLJ14ABCT-ND
  别名：SMLJ14ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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