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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI08N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014461
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI11N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013522
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI11N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000014526
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014467
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI15N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI15N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000294825
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014453
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI21N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014463
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000014533
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 25A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8252TRPBF-1
  仓库库存编号：IRF8252TRPBF-1-ND
  别名：SP001563862
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7187TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7187TRPBF-ND
  别名：SP001566852
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：BUZ31H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ31H3046XKSA1-ND
  别名：SP000682994
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  TVS DIODE 24VWM 44.5VC TSLP-2
  
  型号：ESD218B102ELE6327XTMA1
  仓库库存编号：ESD218B102ELE6327XTMA1-ND
  别名：SP001201280
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60S5BTMA1-ND
  别名：SP000313946
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 23A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta），157A（Tc） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7182TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7182TRPBF-ND
  别名：SP001556394
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 2W
  
  型号：62-0095PBF
  仓库库存编号：62-0095PBF-ND
  别名：SP001569182
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 11A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），35A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7194TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7194TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7194TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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