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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K0CEBTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Ta），70A（Tc） 3.4W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4226TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4226TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4226TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 86A, 303A 156W Surface Mount 32-PQFN (6x6)
  
  型号：IRFHE4250DTRPBF
  仓库库存编号：IRFHE4250DTRPBFCT-ND
  别名：IRFHE4250DTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 44A（Ta），260A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4209DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4209DTRPBF-ND
  别名：SP001554690
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1000V 85A 320W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 1000V 85A 320W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PG42UD-EPBF
  仓库库存编号：IRG7PG42UD-EPBF-ND
  别名：SP001533740
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1000V 85A 320W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1000V 85A 320W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PG42UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PG42UDPBF-ND
  别名：SP001532794
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 321W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH42UD2-EP
  仓库库存编号：IRG7PH42UD2-EP-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 60A 321W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH42UD2PBF
  仓库库存编号：IRG7PH42UD2PBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 116A 462W TO274
  详细描述：IGBT Trench 1200V 116A 462W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG7PSH50UDPBF
  仓库库存编号：IRG7PSH50UDPBF-ND
  别名：SP001532744
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），93A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF7171MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7171MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7171MTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7188TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7188TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7188TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 9.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.3A（Ta），34A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM7194TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM7194TRPBF-ND
  别名：SP001565966
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 20A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta），128A（Tc） 3.9W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7184TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7184TRPBF-ND
  别名：SP001570944
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7190TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7190TRPBF-ND
  别名：SP001560410
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 119W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R280CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R280CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R280CEATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013527
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6BTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520CPATMA1-ND
  别名：SP000680640
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPATMA1-ND
  别名：SP000680642
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP07N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013525
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP20N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000014475
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 22A（Ta） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7885TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7885TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7885TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 26A
  详细描述：N 沟道 80V 26A（Ta） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7882TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7882TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7882TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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