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• Infineon Technologies
  TVS DIODE 24VWM 55VC TSSLP2-1
  
  型号：ESD24VL1B-02LS E6327
  仓库库存编号：ESD24VL1B-02LS E6327CT-ND
  别名：ESD24VL1B-02LS E6327CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 30A 115W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH28UD1PBF
  仓库库存编号：IRG7PH28UD1PBF-ND
  别名：SP001536202
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH35UD1MPBF
  仓库库存编号：IRG7PH35UD1MPBF-ND
  别名：SP001537510
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 85A 313W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 313W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH42UD1MPBF
  仓库库存编号：IRG7PH42UD1MPBF-ND
  别名：SP001544976
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4210TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4210TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4210TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4213DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4213DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4213DTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 41A（Ta） 3.6W（Ta），89W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4213TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4213TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4213TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta） 3.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4234TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4234TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4234TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 25V 28A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28A（Ta） 2.7W（Ta），39W（Tc）
  
  型号：IRFHM4226TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM4226TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM4226TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta） 2.8W（Ta），28W（Tc）
  
  型号：IRFHM4234TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM4234TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM4234TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEBKMA1-ND
  别名：IPU50R950CE
  IPU50R950CE-ND
  SP001022956
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6
  仓库库存编号：IPD60R600P6CT-ND
  别名：IPD60R600P6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R2K0C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R2K0C6BKMA1-ND
  别名：SP000931528
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R950C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R950C6BKMA1-ND
  别名：SP000931532
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS2002GTRPBF
  仓库库存编号：IRLMS2002GTRPBFCT-ND
  别名：IRLMS2002GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 30A 115W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH28UD1MPBF
  仓库库存编号：IRG7PH28UD1MPBF-ND
  别名：SP001532764
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 2.7W（Ta），29W（Tc） 8-PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM4231TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM4231TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM4231TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH4255DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4255DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4255DTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 50A 179W TO247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH35UD1-EP
  仓库库存编号：IRG7PH35UD1-EP-ND
  别名：SP001541578
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 85A COPAK247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 313W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH42UD1-EP
  仓库库存编号：IRG7PH42UD1-EP-ND
  别名：SP001542078
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K4CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K4CEBKMA1-ND
  别名：SP001100620
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEBKMA1-ND
  别名：SP001100622
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001100624
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R2K8CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K8CEBTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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