规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7379Q
仓库库存编号:
AUIRF7379Q-ND
别名:SP001518462
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7478Q
仓库库存编号:
AUIRF7478Q-ND
别名:SP001518452
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF9952Q
仓库库存编号:
AUIRF9952Q-ND
别名:SP001519192
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 1.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL014N
仓库库存编号:
AUIRFL014N-ND
别名:SP001520734
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL024N
仓库库存编号:
AUIRFL024N-ND
别名:SP001515986
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024N
仓库库存编号:
AUIRFR9024N-ND
别名:SP001521726
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024N
仓库库存编号:
AUIRLL024N-ND
别名:SP001521354
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
详细描述:High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
型号:
AUIRS20161S
仓库库存编号:
AUIRS20161S-ND
别名:SP001515292
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 8-SO
型号:
IRF1902GPBF
仓库库存编号:
IRF1902GPBF-ND
别名:SP001571184
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEIN-ND
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 30.4W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R280CE
仓库库存编号:
IPA50R280CEIN-ND
别名:IPA50R280CEIN
IPA50R280CEXKSA1
SP000848218
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS121AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
别名:BTS121A E3045ACT
BTS121A E3045ACT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7342D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7342D2TRPBFCT-ND
别名:IRF7342D2TRPBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSZ023N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ023N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ023N04LS-ND
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18.5A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA50R190CE
仓库库存编号:
IPA50R190CE-ND
别名:IPA50R190CEXKSA1
SP000848220
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9.9A(Tc) 29.2W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA50R380CE
仓库库存编号:
IPA50R380CE-ND
别名:IPA50R380CEXKSA1
SP000848216
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 78W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7446TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7446TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7446TR2PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7440TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7440TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7440TR2PBFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7805Q
仓库库存编号:
AUIRF7805Q-ND
别名:SP001522050
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
AUIRF7484Q
仓库库存编号:
AUIRF7484Q-ND
别名:SP001517960
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
仓库库存编号:
AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
型号:
BB 659C-02V H7902
仓库库存编号:
BB 659C-02V H7902CT-ND
别名:BB 659C-02V H7902CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 7V 20MA SCD80
详细描述:Varactor Single 7V Surface Mount PG-SCD80-2
型号:
BBY5202WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BBY5202WH6327XTSA1CT-ND
别名:BBY 52-02W H6327CT
BBY 52-02W H6327CT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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1788
1789
1790
1791
1792
1793
1794
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